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基于n-型有機(jī)半導(dǎo)體晶體表面臺階缺陷的修復(fù)方法及應(yīng)用

發(fā)明專利有效專利

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CN202010377063.4
IPC分類號：H01L51/48;H01L51/56;H01L51/42;H01L51/50;H01L51/52
申請日期：
2020-05-07
申請人：
山東大學(xué)

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	基于n-型有機(jī)半導(dǎo)體晶體表面臺階缺陷的修復(fù)方法及應(yīng)用
申請?zhí)?/td>	CN202010377063.4	申請日期	2020-05-07
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報(bào)國家	中國
公開/公告日	2020-09-08	公開/公告號	CN111640874A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L51/48 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L51/20 （轉(zhuǎn)入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制〔8〕 H01L51/48 專門適用于制造或處理這種器件或其部件的方法或設(shè)備〔8〕	IPC分類號	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2查看分類表>
申請人	山東大學(xué)	申請人地址	山東省濟(jì)南市歷城區(qū)山大南路27號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人	山東大學(xué)	當(dāng)前權(quán)利人	山東大學(xué)
發(fā)明人	何濤;陶緒堂
代理機(jī)構(gòu)	濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	王磊

摘要

本發(fā)明公開了基于n?型有機(jī)半導(dǎo)體晶體表面臺階缺陷的修復(fù)方法及應(yīng)用。其修復(fù)方法為：采用摻雜劑對將n?型有機(jī)半導(dǎo)體晶體進(jìn)行化學(xué)摻雜，所述摻雜劑為有機(jī)胺，所述有機(jī)胺的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：其中，n＝0、1或2。本發(fā)明通過有機(jī)胺將n?型有機(jī)半導(dǎo)體晶體表面的臺階邊緣選擇性地n?摻雜，消除了臺階邊緣處的電子陷阱，提高了晶體電導(dǎo)率，同時(shí)顯著恢復(fù)了能帶傳輸特性。

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