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半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

發(fā)明專利無效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201610006641.7
IPC分類號：H01L21/336
申請日期：
2016-01-06
申請人：
中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司

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著錄項信息

專利名稱	半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
申請?zhí)?/td>	CN201610006641.7	申請日期	2016-01-06
法律狀態(tài)	駁回	申報國家	中國
公開/公告日	2017-07-14	公開/公告號	CN106952814A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L21/336 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕 H01L21/02 半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一個躍變勢壘或表面勢壘的器件，例如PN結(jié)、耗盡層、載體集結(jié)層〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有雜質(zhì)的AⅢBⅤ族化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如摻雜材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造單極型器件的臺階式工藝〔5〕 H01L21/335 場效應(yīng)晶體管〔5〕 H01L21/336 帶有絕緣柵的〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分類表>
申請人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司	申請人地址	上海市浦東新區(qū)張江路18號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司,中芯國際集成電路制造（北京）有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司,中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
發(fā)明人	禹國賓;徐小平
代理機構(gòu)	北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	高靜;吳敏

摘要

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成基底，所述基底包括：襯底、位于襯底上的鰭部以及位于鰭部上的掩膜層；在鰭部之間的所述襯底上形成隔離材料層；通過至少一次的氧化步驟，在所述鰭部中形成至少一層氧化層，所述氧化步驟包括：去除部分厚度的隔離材料層，使所述隔離材料層露出鰭部的部分側(cè)壁；在隔離材料層露出的鰭部側(cè)壁上形成屏蔽層；去除屏蔽層下方部分厚度的隔離材料層，露出部分鰭部側(cè)壁；通過氧化處理，在隔離材料層和屏蔽層露出的鰭部中形成氧化層；去除所述掩膜層和氧化步驟中所使用的屏蔽層。其中，所述氧化層能夠?qū)崿F(xiàn)鰭部與襯底之間的隔離，在鰭部形成晶體管后，所述氧化層能夠減少晶體管漏電流。

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