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半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN95106068.6
  • IPC分類號：--
  • 申請日期：
    1995-05-12
  • 申請人：
    三星電子株式會社
著錄項信息
專利名稱半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法
申請?zhí)?/td>CN95106068.6申請日期1995-05-12
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報國家中國
公開/公告日1995-12-20公開/公告號CN1113610
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號暫無IPC分類號暫無查看分類表>
申請人三星電子株式會社申請人地址
韓國京畿道 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人三星電子株式會社當(dāng)前權(quán)利人三星電子株式會社
發(fā)明人李柱泳
代理機構(gòu)中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所代理人王以平
摘要
一種帶有形成在單元晶體管上方、下方的電容器的半導(dǎo)體存儲器件，它包含形成在第一層面的第一和第二晶體管、與第一晶體管相連且形成在第一層面下方的第一存儲電極、以及與第二晶體管相連且形成在第一層面上方的第二存儲電極。第一和第二存儲電極經(jīng)由各個源區(qū)側(cè)壁上形成的隔層連接到各源區(qū)，并在存儲電極和晶體管之間形成一個切口，以獲得二倍或更大的單元電容量、穩(wěn)定的單元晶體管特性以及降低了的短溝道效應(yīng)。

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