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利用粒子束的薄膜材料處理方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN200880124531.4
  • IPC分類號:H01L21/26;H01L29/786
  • 申請日期:
    2008-11-13
  • 申請人:
    瓦里安半導體設備公司
著錄項信息
專利名稱利用粒子束的薄膜材料處理方法
申請?zhí)?/td>CN200880124531.4申請日期2008-11-13
法律狀態(tài)撤回申報國家中國
公開/公告日2010-12-08公開/公告號CN101911255A
優(yōu)先權暫無優(yōu)先權號暫無
主分類號H01L21/26IPC分類號H;0;1;L;2;1;/;2;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分類表>
申請人瓦里安半導體設備公司申請人地址
美國麻薩諸塞州 變更 專利地址、主體等相關變化,請及時變更,防止失效
權利人瓦里安半導體設備公司當前權利人瓦里安半導體設備公司
發(fā)明人喬納森·吉羅德·英格蘭;法蘭克·辛克萊;約翰(本雄)·具;拉杰許·都蕾;盧多維克·葛特
代理機構北京同立鈞成知識產權代理有限公司代理人臧建明
摘要
本發(fā)明提供處理基板的方法的一些例子。在一實施例中,此方法可包括將多個第一粒子導入到基板的第一區(qū)域,以在第一區(qū)域中形成具有粒界的至少一結晶,而不在第二區(qū)域形成其他結晶,且第二區(qū)域鄰近于第一區(qū)域;以及在停止導入第一粒子之后,延伸形成于第一區(qū)域中的至少一結晶的粒界到第二區(qū)域。

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