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半導體刻蝕工藝的終點檢測方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201510081945.5
IPC分類號：H01L21/66
申請日期：
2015-02-15
申請人：
盛美半導體設備(上海)有限公司

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	半導體刻蝕工藝的終點檢測方法
申請?zhí)?/td>	CN201510081945.5	申請日期	2015-02-15
法律狀態(tài)	暫無	申報國家	中國
公開/公告日	2016-10-05	公開/公告號	CN105990175A
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L21/66 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備〔2，8〕 H01L21/66 在制造或處理過程中的測試或測量〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分類表>
申請人	盛美半導體設備(上海)有限公司	申請人地址	上海市浦東新區(qū)自由貿易試驗區(qū)蔡倫路1690號第4幢變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	盛美半導體設備(上海)股份有限公司	當前權利人	盛美半導體設備(上海)股份有限公司
發(fā)明人	肖東風;賈照偉;王堅;王暉
代理機構	上海專利商標事務所有限公司	代理人	暫無

摘要

本發(fā)明揭示了一種半導體刻蝕工藝的終點檢測方法，所刻蝕的半導體結構至少包括阻擋層和介質層，選用的刻蝕氣體為二氟化氙，其中在刻蝕工藝結束前，向刻蝕環(huán)境中通入HF氣體以產生終點標記產物，當監(jiān)測到終點標記產物生成時，終結刻蝕工藝。采用本發(fā)明所提供的技術方案，能夠大大提高終點檢測的精確度，幫助操作人員及時地終結刻蝕工藝，以改善半導體結構的品質，避免刻蝕不完全或過刻。

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