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用于制造CMOS圖像傳感器的方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN200510076946.7
  • IPC分類號：--
  • 申請日期：
    2005-06-09
  • 申請人：
    東部亞南半導(dǎo)體株式會社
著錄項(xiàng)信息
專利名稱用于制造CMOS圖像傳感器的方法
申請?zhí)?/td>CN200510076946.7申請日期2005-06-09
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報(bào)國家中國
公開/公告日2005-12-14公開/公告號CN1707805
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號暫無IPC分類號暫無查看分類表>
申請人東部亞南半導(dǎo)體株式會社申請人地址
韓國首爾 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人東部亞南半導(dǎo)體株式會社當(dāng)前權(quán)利人東部亞南半導(dǎo)體株式會社
發(fā)明人韓昌勛
代理機(jī)構(gòu)北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司代理人余剛
摘要
本發(fā)明提供了一種制造CMOS圖像傳感器的方法。該方法包括在限定有光電二極管區(qū)和邏輯區(qū)的半導(dǎo)體層上形成柵電極，使柵氧化膜介于半導(dǎo)體層和柵電極之間；在柵電極的兩側(cè)形成側(cè)壁絕緣膜，之后在柵電極和絕緣膜的整個表面上形成自對準(zhǔn)多晶硅化物防護(hù)膜；去除在邏輯區(qū)中形成的自對準(zhǔn)多晶硅化物防護(hù)膜；以及去除通過去除自對準(zhǔn)多晶硅化物防護(hù)膜而暴露的側(cè)壁絕緣膜的一部分，從而暴露柵電極的上側(cè)表面。

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