加載中...
首頁專利查詢專利詳情

*來源于國家知識產(chǎn)權(quán)局?jǐn)?shù)據(jù)，僅供參考，實際以國家知識產(chǎn)權(quán)局展示為準(zhǔn)

SiGe/Ge/SiGe雙異質(zhì)結(jié)激光器及其制備方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201811082941.9
  • IPC分類號：H01S5/32;H01S5/30
  • 申請日期：
    2018-09-17
  • 申請人：
    西安電子科技大學(xué)
著錄項信息
專利名稱SiGe/Ge/SiGe雙異質(zhì)結(jié)激光器及其制備方法
申請?zhí)?/td>CN201811082941.9申請日期2018-09-17
法律狀態(tài)授權(quán)申報國家中國
公開/公告日2019-03-08公開/公告號CN109449757A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號H01S5/32IPC分類號H;0;1;S;5;/;3;2;;;H;0;1;S;5;/;3;0查看分類表>
申請人西安電子科技大學(xué)申請人地址
陜西省西安市太白南路2號 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人西安電子科技大學(xué)當(dāng)前權(quán)利人西安電子科技大學(xué)
發(fā)明人舒斌;高玉龍;張利鋒;胡輝勇;王斌;王利明;韓本光;張鶴鳴
代理機(jī)構(gòu)西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙）代理人張捷
摘要
本發(fā)明公開了一種SiGe/Ge/SiGe雙異質(zhì)結(jié)激光器及其制備方法。方法包括：在Si襯底的表面形成p型Si1?xGex層；在p型Si1?xGex層的表面形成SiN層；將SiN層的中間區(qū)域刻蝕掉，使兩端的SiN層和底部的p型Si1?xGex層形成一凹槽；在凹槽內(nèi)形成n型Ge層，且n型Ge層的厚度與SiN層的厚度相同；在SiN層表面和n型Ge層的表面形成n型Si1?xGex層；在n型Si1?xGex層的表面形成Si帽層；在Si帽層上形成電極。本發(fā)明的SiGe/Ge/SiGe雙異質(zhì)結(jié)激光器又具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率和較低的閾值電流密度，光穩(wěn)定性好；其制備方法既能夠兼容CMOS工藝，加工簡單、方便，為實現(xiàn)片上光源提供一個具體的結(jié)構(gòu)和實施方案。

我瀏覽過的專利

    專利服務(wù)由北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理公司提供