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一種降低絨面單晶硅片表面反射率的方法

發(fā)明專(zhuān)利無(wú)效專(zhuān)利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN200910181549.4
  • IPC分類(lèi)號(hào)：H01L31/18
  • 申請(qǐng)日期：
    2009-07-20
  • 申請(qǐng)人：
    歐貝黎新能源科技股份有限公司
著錄項(xiàng)信息
專(zhuān)利名稱(chēng)一種降低絨面單晶硅片表面反射率的方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN200910181549.4申請(qǐng)日期2009-07-20
法律狀態(tài)撤回申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2009-12-23公開(kāi)/公告號(hào)CN101609862
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類(lèi)號(hào)H01L31/18IPC分類(lèi)號(hào)H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分類(lèi)表>
申請(qǐng)人歐貝黎新能源科技股份有限公司申請(qǐng)人地址
江蘇省海安縣黃海西路188號(hào) 變更 專(zhuān)利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人歐貝黎新能源科技股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人歐貝黎新能源科技股份有限公司
發(fā)明人屈盛;湯葉華
代理機(jī)構(gòu)暫無(wú)代理人暫無(wú)
摘要
一種降低絨面單晶硅片表面反射率的方法，它涉及制備太陽(yáng)電池的技術(shù)范圍及領(lǐng)域。將經(jīng)過(guò)堿腐蝕制作好絨面的單晶硅片，放入等離子體刻蝕設(shè)備中進(jìn)行無(wú)掩膜等離子體刻蝕，從而進(jìn)一步降低單晶硅片的表面反射率?？涛g所用氣體為四氟化碳(CF4)和氧氣(O2)的混和氣，二者流量比例在10∶1－1∶3之間，處理腔體內(nèi)氣壓范圍為1－20Pa。本發(fā)明能進(jìn)一步降低單晶硅片表面反射率，對(duì)太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)化效率的進(jìn)一步提高提供了一個(gè)可行的途徑，它具有簡(jiǎn)單、方便、有效、成本低、操作簡(jiǎn)單、無(wú)需添加額外設(shè)備、適宜大規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)。

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