加載中...
首頁專利查詢專利詳情

*來源于國家知識產(chǎn)權(quán)局?jǐn)?shù)據(jù)，僅供參考，實(shí)際以國家知識產(chǎn)權(quán)局展示為準(zhǔn)

納流體測試器件的制備方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201010034281.4
  • IPC分類號：B82B3/00;G01N33/48
  • 申請日期：
    2010-01-20
  • 申請人：
    中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
著錄項(xiàng)信息
專利名稱納流體測試器件的制備方法
申請?zhí)?/td>CN201010034281.4申請日期2010-01-20
法律狀態(tài)撤回申報國家中國
公開/公告日2010-06-30公開/公告號CN101759142A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號B82B3/00IPC分類號B;8;2;B;3;/;0;0;;;G;0;1;N;3;3;/;4;8查看分類表>
申請人中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所申請人地址
北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所當(dāng)前權(quán)利人中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
發(fā)明人張加勇;王曉峰;王曉東;楊富華;馬慧莉;程凱芳
代理機(jī)構(gòu)中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司代理人湯保平
摘要
一種納流體測試器件的制備方法，包括：在襯底上生長一層電熱絕緣材料層和基底材料層；去除基底材料層的四邊，形成圖形作為制備側(cè)墻的基底；在該電熱絕緣材料層的上面和基底材料層的表面及側(cè)面淀積側(cè)墻材料層；去除基底材料層上表面和電熱絕緣材料層表面的側(cè)墻材料層，形成側(cè)墻；去除基底材料層，只保留納米尺寸的側(cè)墻；在該側(cè)墻材料層的一條邊上搭上一條制作電極的抗腐蝕的金屬層；在電熱絕緣材料層及金屬層上制備一層制作納流體通道的抗腐蝕絕緣材料層；拋光表面，去除金屬層上面的抗腐蝕絕緣材料層；再用濕法腐蝕方法去除剩余的側(cè)墻材料層形成納流體通道；最后淀積一層絕緣材料將納流體通道封頂，再在通道兩端開孔并在通道兩側(cè)的金屬上引出電極即可形成納流體測試器件。

我瀏覽過的專利

    專利服務(wù)由北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理公司提供