加載中...
首頁(yè)專利查詢專利詳情

*來源于國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局?jǐn)?shù)據(jù)，僅供參考，實(shí)際以國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局展示為準(zhǔn)

存儲(chǔ)器及其制造方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201710911972.X
  • IPC分類號(hào)：H01L27/108
  • 申請(qǐng)日期：
    2017-09-29
  • 申請(qǐng)人：
    睿力集成電路有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱存儲(chǔ)器及其制造方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201710911972.X申請(qǐng)日期2017-09-29
法律狀態(tài)暫無(wú)申報(bào)國(guó)家暫無(wú)
公開/公告日2018-01-05公開/公告號(hào)CN107546226A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)H01L27/108
?
IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號(hào)H;0;1;L;2;7;/;1;0;8查看分類表>
申請(qǐng)人睿力集成電路有限公司申請(qǐng)人地址
安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)翠微路6號(hào)海恒大廈630室 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司當(dāng)前權(quán)利人長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
發(fā)明人不公告
代理機(jī)構(gòu)上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙）代理人智云
摘要
本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器及其制造方法，在形成第一接觸間隔材料層于襯底上，第一接觸間隔材料層覆蓋開口、存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸及位線結(jié)構(gòu)之后，研磨第一接觸間隔材料層以暴露出第一接觸間隔材料層在開口中的孔隙，并通過第二接觸間隔材料層填充孔隙，從而形成無(wú)孔隙缺陷的接觸間隔，提高了接觸間隔的質(zhì)量與可靠性。

我瀏覽過的專利

    專利服務(wù)由北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理公司提供