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*來源于國家知識產(chǎn)權(quán)局數(shù)據(jù)，僅供參考，實際以國家知識產(chǎn)權(quán)局展示為準

一種存儲器及其制造方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN202010386254.7
  • IPC分類號：H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
  • 申請日期：
    2020-05-09
  • 申請人：
    濟南南知信息科技有限公司
著錄項信息
專利名稱一種存儲器及其制造方法
申請?zhí)?/td>CN202010386254.7申請日期2020-05-09
法律狀態(tài)實質(zhì)審查申報國家中國
公開/公告日2020-08-11公開/公告號CN111524896A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號H01L27/11565
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;2查看分類表>
申請人濟南南知信息科技有限公司申請人地址
山東省濟南市歷城區(qū)北園大街9號榮盛時代國際廣場A座707 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人濟南南知信息科技有限公司當前權(quán)利人濟南南知信息科技有限公司
發(fā)明人崔延光
代理機構(gòu)北京華際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人葉宇
摘要
本發(fā)明提供了一種存儲器及其制造方法，其具有第一半導體層和環(huán)形半導體層組成的有源區(qū)部分，并且利用存儲柵結(jié)構(gòu)和控制柵結(jié)構(gòu)對所述有源區(qū)進行導通傳輸；在制造方法上，分別制造第一半導體層和環(huán)形半導體層，然后在環(huán)形半導體層中形成存儲柵結(jié)構(gòu)，在所述環(huán)形半導體層外形成控制柵結(jié)構(gòu)，方法極為簡單，且能夠?qū)崿F(xiàn)較大的存儲密度。

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