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包括合成存儲層的自參考磁隨機(jī)存取存儲器元件

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201210597124.3
  • IPC分類號：G11C11/15;H01L43/00
  • 申請日期：
    2012-12-12
  • 申請人：
    克羅科斯科技公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱包括合成存儲層的自參考磁隨機(jī)存取存儲器元件
申請?zhí)?/td>CN201210597124.3申請日期2012-12-12
法律狀態(tài)授權(quán)申報國家中國
公開/公告日2013-06-19公開/公告號CN103165171A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號G11C11/15IPC分類號G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;H;0;1;L;4;3;/;0;0查看分類表>
申請人克羅科斯科技公司申請人地址
法國格勒諾布爾 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人克羅科斯科技公司當(dāng)前權(quán)利人克羅科斯科技公司
發(fā)明人I·L·普雷貝亞努;L·隆巴爾;Q·施泰納;K·麥凱
代理機(jī)構(gòu)中國專利代理（香港）有限公司代理人王岳;李浩
摘要
本發(fā)明涉及包括合成存儲層的自參考磁隨機(jī)存取存儲器元件。本公開涉及一種包括磁隧道結(jié)的MRAM元件，該磁隧道結(jié)包括：存儲層，感測層，以及包含在存儲層與感測層之間的隧道勢壘層；存儲層包括具有第一存儲磁化的第一磁性層；具有第二存儲磁化的第二磁性層；以及非磁性耦合層，將第一和第二磁性層分開，使得第一存儲磁化與第二存儲磁化基本上反平行；第一和第二磁性層被布置成使得：在讀溫度處，第一存儲磁化基本上等于第二存儲磁化；并且在高于讀溫度的寫溫度處，第二存儲磁化大于第一存儲磁化。所公開的MRAM元件當(dāng)在低溫下冷卻磁隧道結(jié)時產(chǎn)生低雜散場。

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