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非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的編程方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201010624510.8
  • IPC分類號(hào)：G11C16/02;G11C16/06
  • 申請(qǐng)日期：
    2010-12-31
  • 申請(qǐng)人：
    三星電子株式會(huì)社
著錄項(xiàng)信息
專利名稱非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的編程方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201010624510.8申請(qǐng)日期2010-12-31
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2011-07-27公開(kāi)/公告號(hào)CN102136293A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)G11C16/02IPC分類號(hào)G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分類表>
申請(qǐng)人三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)人地址
韓國(guó)京畿道水原市 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人三星電子株式會(huì)社當(dāng)前權(quán)利人三星電子株式會(huì)社
發(fā)明人楊升震;金龍?zhí)?/td>
代理機(jī)構(gòu)北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人韓明星;李娜娜
摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的編程方法，所述編程方法利用負(fù)偏置電壓。所述方法包括：在編程模式中，在同一存儲(chǔ)器塊中導(dǎo)通連接到被選擇的位線的串選擇晶體管并截止連接到未被選擇的字線的串選擇晶體管。這可以通過(guò)將負(fù)偏置電壓施加到體基底并施加電壓電平高于連接到被選擇的位線的串選擇晶體管的閾值電壓并低于連接到未被選擇的位線的串選擇晶體管的閾值電壓的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述方法可以減小在被選擇的單元串和未被選擇的單元串之間的編程干擾。

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