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一種半導(dǎo)體激光器芯片的制備方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201911205144.X
  • IPC分類號(hào)：H01S5/32;H01S5/30
  • 申請(qǐng)日期：
    2019-11-29
  • 申請(qǐng)人：
    山東華光光電子股份有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱一種半導(dǎo)體激光器芯片的制備方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201911205144.X申請(qǐng)日期2019-11-29
法律狀態(tài)實(shí)質(zhì)審查申報(bào)國家暫無
公開/公告日2021-06-18公開/公告號(hào)CN112993756A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無
主分類號(hào)H01S5/32IPC分類號(hào)H;0;1;S;5;/;3;2;;;H;0;1;S;5;/;3;0查看分類表>
申請(qǐng)人山東華光光電子股份有限公司申請(qǐng)人地址
山東省濟(jì)南市高新區(qū)天辰大街1835號(hào) 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人山東華光光電子股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人山東華光光電子股份有限公司
發(fā)明人劉青;馮興聯(lián);蘇建;徐現(xiàn)剛
代理機(jī)構(gòu)北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人張文杰
摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器芯片的制備方法，制備得到芯片P面設(shè)有P型凹陷區(qū)和P型非凹陷區(qū)，P型凹陷區(qū)和P型非凹陷區(qū)依次間隔排列，芯片N面設(shè)有N型非凹陷區(qū)和N型凹陷區(qū)，N型非凹陷區(qū)和N型凹陷區(qū)依次間隔排列；該芯片結(jié)構(gòu)在后續(xù)解理鍍膜時(shí)，可以將芯片解理成巴條，并將巴條相互堆疊，相鄰巴條之間可以通過P型凹陷區(qū)、N型非凹陷區(qū)相互配合放置，兩端再放上墊條，鍍膜時(shí)擺條切合度更高，能有效提高鍍膜均勻性，提高膜層質(zhì)量。本發(fā)明工藝設(shè)計(jì)合理，操作簡(jiǎn)單，同時(shí)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，不僅在降低生產(chǎn)成本的同時(shí)提高了鍍膜效率，保證鍍膜質(zhì)量，同時(shí)也解決了鍍膜過程中出現(xiàn)的電極污染、劃傷等技術(shù)問題，提高了產(chǎn)品良率。

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