NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器及其制備方法

1.一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：包括自下而上依次設(shè)置的基底、絕緣層、表面修飾層、活性敏感層以及源漏電極，所述表面修飾層的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，所述含端氨基的硅烷化合物的分子式為H2N-(CH2)n-SiCl3、H2N-(CH2)n-Si(OCH3)3或H2N-(CH2)n-Si(OC2H5)3，其中，n＝3-18，所述活性敏感層的材質(zhì)為有機(jī)半導(dǎo)體材料；所述有機(jī)半導(dǎo)體材料為并五苯、6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、酞菁氧釩、酞菁鉛或紅熒烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：所述基底和所述絕緣層之間還設(shè)有柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：所述基底的材質(zhì)為n型摻雜硅片、p型摻雜硅片、玻璃或塑料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：所述絕緣層的厚度為
100-300nm，所述絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或三氧化二鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：所述表面修飾層的厚度為1-3nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：所述活性敏感層的厚度為5-50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其特征在于：所述源漏電極為選自金電極、銀電極、鉻電極和鋁電極中的一種或兩種。
8.一種根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在所述基底表面形成平整的絕緣層，然后使所述含端氨基的硅烷化合物在所述絕緣層表面進(jìn)行自組裝，形成所述表面修飾層；
(2)在所述表面修飾層上沉積所述有機(jī)半導(dǎo)體材料，形成活性敏感層，在所述活性敏感層上沉積所述源漏電極，形成所述NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于：在步驟(1)中，在溫度為20-100℃，壓力為10-1-10-3Pa條件下進(jìn)行自組裝。

NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器及其制備方法\n技術(shù)領(lǐng)域\n[0001] 本發(fā)明涉及氣體傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器及其制備方法。\n背景技術(shù)\n[0002] 二氧化氮(NO2)是空氣污染的重要來(lái)源之一，人體呼入NO2會(huì)生成硝酸和亞硝酸，刺激呼吸器官引起慢性和急性中毒，使人體的血壓降低、血液缺氧，更為嚴(yán)重者可以威脅生命；?NO2也是導(dǎo)致酸雨形成的主要因素之一，通過(guò)雨、雪或者霧的形式沉降到地表面流入河洋，使水體中藻類植物富營(yíng)養(yǎng)化，導(dǎo)致各種魚類和水生生物的死亡，給生態(tài)環(huán)境和經(jīng)濟(jì)發(fā)展造成巨大損害。因此高性能NO2傳感器已成為一個(gè)重要的研究課題。\n[0003] 目前商業(yè)化的便攜型NO2傳感器多采用基于無(wú)機(jī)金屬氧化物材料的電阻式器件，其特點(diǎn)是需要工作在高溫的環(huán)境，且選擇性差；而有機(jī)半導(dǎo)體材料具有分子可設(shè)計(jì)、成本低、可室溫檢測(cè)以及可選擇性檢測(cè)等優(yōu)勢(shì)，為其在氣體檢測(cè)方面的應(yīng)用提供了良好的前景。\n1984年，?B.Bott和T.A.Jones首先報(bào)道了利用酞氰材料研究NO2的氣體檢測(cè)信號(hào)，然而目前大多數(shù)有機(jī)半導(dǎo)體NO2傳感器仍然面臨著靈敏度低和響應(yīng)回復(fù)慢等眾多的問(wèn)題。\n發(fā)明內(nèi)容\n[0004] 為解決目前基于有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的NO2氣體傳感器靈敏度低，響應(yīng)慢和回復(fù)差的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的是提供一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器及其制備方法，以提高氣體傳感器對(duì)?NO2的響應(yīng)性，且可快速回復(fù)，響應(yīng)靈敏度高，最低檢測(cè)限可以達(dá)到ppb級(jí)別。\n[0005] 本發(fā)明提供了一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，包括自下而上依次設(shè)置的基底、絕緣層、表面修飾層、活性敏感層以及源漏電極，表面修飾層的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式為H2N-(CH2)n-SiCl3、H2N-(CH2)n-Si(OCH3)3或?H2N-(CH2)n-Si(OC2H5)3，其中，n＝3-18，活性敏感層的材質(zhì)為有機(jī)半導(dǎo)體材料。\n[0006] 含端氨基的硅烷化合物的中間為C3-C18烷基，其一端為氨基(-NH2)，另一端為三氯硅烷基團(tuán)(-SiCl3)、三甲氧基硅烷(-Si(OCH3)3)或三乙氧基硅烷基團(tuán)(-Si(OC2H5)3)。\n[0007] 進(jìn)一步地，基底和絕緣層之間還設(shè)有柵極。柵極為Si、Cr、Ti或ITO等。\n[0008] 進(jìn)一步地，基底的材質(zhì)為n型摻雜硅片、p型摻雜硅片、玻璃或塑料。\n[0009] 進(jìn)一步地，絕緣層的厚度為100-300nm，絕緣層的材質(zhì)為氧化硅或三氧化二鋁。\n[0010] 進(jìn)一步地，表面修飾層的厚度為1-3nm。\n[0011] 進(jìn)一步地，有機(jī)半導(dǎo)體材料為并五苯、6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯?(TIPS-pentacene)、酞菁氧釩、酞菁鉛或紅熒烯。\n[0012] 進(jìn)一步地，活性敏感層的厚度為5-50nm。\n[0013] 進(jìn)一步地，源漏電極為選自金電極、銀電極、鉻電極和鋁電極中的一種或兩種。\n[0014] 本發(fā)明還提供了一種上述NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟：\n[0015] (1)在基底表面形成平整的絕緣層，然后使含端氨基的硅烷化合物在絕緣層表面進(jìn)行自組裝，形成表面修飾層；\n[0016] (2)在表面修飾層上沉積有機(jī)半導(dǎo)體材料，形成活性敏感層，在活性敏感層上沉積源漏電極，形成NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器。\n[0017] 進(jìn)一步地，在步驟(1)中，在溫度為20-100℃，壓力為10-1-10-3Pa條件下?lián)]發(fā)含端氨基的硅烷化合物，使其與絕緣層表面接觸，從而進(jìn)行自組裝。優(yōu)選地，溫度為60-100℃。\n[0018] 進(jìn)一步地，自組裝時(shí)間可以為10-60min。\n[0019] 進(jìn)一步地，在步驟(1)中，采用熱氧化或者濺射形成平整的絕緣層。\n[0020] 進(jìn)一步地，在步驟(2)中，采用真空升華法沉積活性敏感層，基底的溫度為20-150℃，在壓力為10-4-10-5Pa、沉積速率為0.2-1nm/min的條件下進(jìn)行。\n[0021] 進(jìn)一步地，在步驟(2)中，通過(guò)真空熱蒸鍍法沉積源漏電極，沉積過(guò)程中壓力為10-4-10-5Pa，沉積速率為1-5nm/min。\n[0022] 進(jìn)一步地，在步驟(2)中，源漏電極的圖案利用掩膜版技術(shù)實(shí)現(xiàn)。\n[0023] 進(jìn)一步地，在步驟(2)中，源漏電極圖案采用叉指電極，叉指對(duì)數(shù)從1-5不等。\n[0024] 化學(xué)電阻式氣體傳感器主要通過(guò)監(jiān)測(cè)氣體吸附后電導(dǎo)變化而產(chǎn)生傳感。本發(fā)明的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的絕緣層表面經(jīng)過(guò)含端氨基的硅烷化合物修飾后，其中的-NH2可以俘獲空穴載流子，從而調(diào)控其上層活性敏感層(有機(jī)半導(dǎo)體薄膜)內(nèi)的載流子濃度，進(jìn)而調(diào)控導(dǎo)電能力。\n[0025] 表面修飾層上氨基的引入，降低了活性敏感層的初始載流子濃度以及初始電導(dǎo)，因而在通入NO2氣體后，NO2與活性敏感層的作用會(huì)產(chǎn)生載流子從而增加電導(dǎo)?；钚悦舾袑拥撵`敏度取決于單位濃度下增加的電導(dǎo)與初始電導(dǎo)之比。因而通過(guò)表面修飾層上的氨基修飾后，活性敏感層具有較低的初始電導(dǎo)，將有效提高靈敏度。并且含端氨基的硅烷化合物一定程度提高了活性敏感層的薄膜形態(tài)，從而保證氣體的吸附。電導(dǎo)的調(diào)控以及形態(tài)的提高使得器件靈敏度大幅提高，響應(yīng)和回復(fù)速度變快，大大提高氣體傳感器性能。\n[0026] 借由上述方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：\n[0027] 本發(fā)明通過(guò)表面自組裝形成表面修飾層，用于調(diào)控其上方的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜(活性敏感層)的電學(xué)性能，制備方法簡(jiǎn)單快速，易于工業(yè)化生產(chǎn)。\n[0028] 本發(fā)明氣體傳感器在測(cè)試范圍1-5ppm范圍內(nèi)，室溫工作條件下，靈敏度大于\n1000％/ppm，響應(yīng)時(shí)間和回復(fù)時(shí)間小于100s，最低檢測(cè)限達(dá)到20ppb。這些性能參數(shù)均表明該傳感器性能可以達(dá)到目前基于無(wú)機(jī)金屬氧化物材料的電阻式器件的檢測(cè)水平，而工作溫度優(yōu)于基于無(wú)機(jī)金屬氧化物材料的電阻式器件，室溫即可產(chǎn)生較高響應(yīng)?？傊景l(fā)明的制備方法所得到的基于有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其響應(yīng)靈敏度很高，具有快速響應(yīng)性和快速回復(fù)性特點(diǎn)，最低檢測(cè)限可以達(dá)到ppb級(jí)別。\n[0029] 上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。\n附圖說(shuō)明\n[0030] 圖1是本發(fā)明NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；\n[0031] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1以及對(duì)照組的活性敏感層的TIPS-pentacene薄膜的原子力顯微鏡高度圖測(cè)試圖片；\n[0032] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的方法制備的傳感器所測(cè)到的電流隨時(shí)間的變化曲線；\n[0033] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的方法制備的傳感器所測(cè)到的電流隨時(shí)間的變化曲線；\n[0034] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的方法制備的傳感器所測(cè)到的電流隨時(shí)間的變化曲線；\n[0035] 附圖標(biāo)記說(shuō)明：\n[0036] 1-基底；2-絕緣層；3-表面修飾層；4-活性敏感層；5-源漏電極。\n具體實(shí)施方式\n[0037] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。\n[0038] 實(shí)施例1\n[0039] 圖1是本發(fā)明NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括自下而上依次設(shè)置的基底?1、絕緣層2、表面修飾層3、活性敏感層4以及源漏電極5，絕緣層2的材質(zhì)為氧化硅，表面修飾層3的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式為?H2N-(CH2)3-Si(OCH3)3，活性敏感層4的材質(zhì)為TIPS-pentacene。其制備方法具體如下：\n[0040] 選用重?fù)诫sn型硅片作為基底1，其上含有300nm熱氧化的二氧化硅(絕緣層2)，將基底1在丙酮，乙醇、超純水中各超聲十分鐘，以除去表面的雜質(zhì)，然后放在體積比＝3:7的H2O2和H2SO4混合溶液中煮沸30分鐘，待冷卻后用大量超純水沖洗除掉表面的酸，之后用高純氮?dú)獯蹈?，放?0℃的烘箱中10分鐘；然后將基底1粘貼于培養(yǎng)皿蓋子上后轉(zhuǎn)移至真空干燥箱，吸取適量的H2N-(CH2)3-Si(OCH3)3滴在培養(yǎng)皿底部，轉(zhuǎn)移至真空干燥箱，蓋好蓋子，加熱至溫度為60度，保持30分鐘以完成表面自組裝。待冷卻至室溫，將處理后的基底1用正己烷、氯仿、異丙醇各超聲10分鐘，形成表面修飾層3，厚度約1nm，然后氮?dú)獯蹈珊蠓胖糜谡婵丈A設(shè)備中。采用真空升華法在表面修飾層3的表面沉積厚度為10nm的TIPS-Pentacene?形成活性敏感層4，沉積過(guò)程中真空度為10-4Pa，基底溫度控制在室溫，TIPS-pentacene的蒸發(fā)速率為 沉積后將處理后的基底1與掩膜版組合置于真空熱蒸鍍?cè)O(shè)備，將厚度為\n30nm金沉積到基片上完成源漏電極制備，得到NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其中，電極圖案采用叉指電極，溝道長(zhǎng)度為100微米，寬度為11mm。\n[0041] 將上述方法所制備的的電阻型傳感器置于一個(gè)自制密閉腔體中，并采用Keithley4200半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試其氣體檢測(cè)能力。氣體通過(guò)計(jì)算機(jī)自動(dòng)配氣系統(tǒng)配氣后通入密閉腔體，流經(jīng)傳感器后進(jìn)入氣體排放系統(tǒng)。氣體為NO2，流速為300sccm，濃度范圍為\n1-5ppm。同時(shí)以不含表面修飾層的電阻式氣體傳感器作為對(duì)照，采用同樣的方法進(jìn)行測(cè)試。\n[0042] 圖2為TIPS-pentacene薄膜在不含有表面修飾層3(圖2a)和含有表面修飾層3(圖\n2b)?的形貌對(duì)比，對(duì)比兩幅圖可以發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明所獲得的的活性層薄膜表現(xiàn)出梯田狀，大尺寸、結(jié)晶并且連續(xù)的形態(tài)，而沒(méi)有表面修飾的對(duì)比實(shí)驗(yàn)獲得的小顆粒狀，連續(xù)性較差的形態(tài)。圖?3為本實(shí)施例的方法制備的傳感器所測(cè)到的電流隨時(shí)間的變化曲線，可以觀察到隨著氣體的進(jìn)入，器件電流呈現(xiàn)快速的響應(yīng)，1ppm氣體進(jìn)入后，電流可以產(chǎn)生兩個(gè)量級(jí)的變化，表面本發(fā)明的傳感器具有很高的靈敏度；當(dāng)撤去NO2氣體后，器件的電流迅速恢復(fù)到知道沒(méi)有引入?NO2氣體前的狀態(tài)，表明本發(fā)明的傳感器器件具有很好的回復(fù)特性。\n[0043] 實(shí)施例2\n[0044] 本實(shí)施例提供了一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括自下而上依次設(shè)置的基底1、絕緣層2、表面修飾層3、活性敏感層4以及源漏電極5，絕緣層2的材質(zhì)為氧化硅，表面修飾層3的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式為?H2N-(CH2)8-Si(OCH3)3，活性敏感層4的材質(zhì)為紅熒烯。其制備方法具體如下：\n[0045] 選用重?fù)诫sn型硅片作為基底1，其上含有300nm熱氧化的二氧化硅(絕緣層2)，將基底1在丙酮，乙醇、超純水中各超聲十分鐘，以除去表面的雜質(zhì)，然后放在體積比＝3:7的H2O2和H2SO4混合溶液中煮沸30分鐘，待冷卻后用大量超純水沖洗除掉表面的酸，之后用高純氮?dú)獯蹈?，放?0℃的烘箱中10分鐘；然后將基底1粘貼于培養(yǎng)皿蓋子上后轉(zhuǎn)移至真空干燥箱，吸取適量的H2N-(CH2)8-Si(OCH3)3硅烷試劑滴在培養(yǎng)皿底部，轉(zhuǎn)移至真空干燥箱，蓋好蓋子，加熱至溫度為80度，保持30分鐘以完成表面自組裝。待冷卻至室溫，將處理后的基底1用正己烷、氯仿、異丙醇各超聲10分鐘，形成H2N-(CH2)8-Si(OCH3)3表面修飾層3，然后氮?dú)獯蹈珊蠓胖糜谡婵丈A設(shè)備中。采用真空升華法在表面修飾層3的表面沉積厚度為?20nm的紅-4\n熒烯形成活性敏感層4，沉積過(guò)程中真空度為10 Pa，基底溫度為80度，紅熒烯的蒸發(fā)速率為沉積后將處理后的基底1與掩膜版組合置于真空熱蒸鍍?cè)O(shè)備，將厚度為30nm金沉積到基片上完成源漏電極制備，得到NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其中，電極圖案采用叉指電極，溝道長(zhǎng)度為100微米，寬度為11mm。\n[0046] 將上述方法所制備的的電阻型傳感器置于一個(gè)自制密閉腔體中，并采用Keithley4200半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試其氣體檢測(cè)能力。氣體通過(guò)計(jì)算機(jī)自動(dòng)配氣系統(tǒng)配氣后通入密閉腔體，流經(jīng)傳感器后進(jìn)入氣體排放系統(tǒng)。氣體為NO2，流速為300sccm，濃度范圍為\n1-5ppm。圖4為本實(shí)施例的方法制備的傳感器所測(cè)到的電流隨時(shí)間的變化曲線，電流在未加電流是大約為?0.2μA,在NO2氣體進(jìn)入后，迅速增加到大于1μA的水平，1-5ppm對(duì)應(yīng)的響應(yīng)度(為電流變化值除以電流初始值的百分比，即(ΔI/I0)100％)從250％增大至1600％在NO2氣體撤去后，迅速恢復(fù)接近到初始值；電流變化值隨著氣體濃度的增加而增加。\n[0047] 實(shí)施例3\n[0048] 本實(shí)施例提供了一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括自下而上依次設(shè)置的基底1、絕緣層2、表面修飾層3、活性敏感層4以及源漏電極5，絕緣層2的材質(zhì)為氧化硅，表面修飾層3的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式為?H2N-(CH2)3-Si(OCH2CH3)3，即H2N-(CH2)3-Si(OC2H5)3，活性敏感層4的材質(zhì)為酞菁氧釩。其制備方法具體如下：\n[0049] 選用重?fù)诫sn型硅片作為基底1，其上含有300nm熱氧化的二氧化硅(絕緣層2)，將基底1在丙酮，乙醇、超純水中各超聲十分鐘，以除去表面的雜質(zhì)，然后放在體積比＝3:7的H2O2和H2SO4混合溶液中煮沸30分鐘，待冷卻后用大量超純水沖洗除掉表面的酸，之后用高純氮?dú)獯蹈?，放?0℃的烘箱中10分鐘；然后將基底1粘貼于培養(yǎng)皿蓋子上后轉(zhuǎn)移至真空干燥箱，吸取適量的H2N-(CH2)3-Si(OCH2CH3)3硅烷試劑滴在培養(yǎng)皿底部，轉(zhuǎn)移至真空干燥箱，蓋好蓋子，加熱至溫度為60度，保持30分鐘以完成表面自組裝。待冷卻至室溫，將處理后的基底1用正己烷、氯仿、異丙醇各超聲10分鐘，形成H2N-(CH2)3-Si(OCH2CH3)3表面修飾層?3，厚度約1nm，然后氮?dú)獯蹈珊蠓胖糜谡婵丈A設(shè)備中。采用真空升華法在表面修飾層3的表面沉積厚度為20nm的酞菁氧釩形成活性敏感層4，沉積過(guò)程中真空度為10-4Pa，基底溫度為\n120度，酞菁氧釩的蒸發(fā)速率為 沉積后將處理后的基底1與掩膜版組合置于真空熱蒸鍍?cè)O(shè)備，將厚度為30nm的金沉積到基片上完成源漏電極制備，得到NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，其中，電極圖案采用叉指電極，溝道長(zhǎng)度為100微米，寬度為11mm。\n[0050] 將上述方法所制備的的電阻型傳感器置于一個(gè)自制密閉腔體中，并采用Keithley4200半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試其氣體檢測(cè)能力。氣體通過(guò)計(jì)算機(jī)自動(dòng)配氣系統(tǒng)配氣后通入密閉腔體，流經(jīng)傳感器后進(jìn)入氣體排放系統(tǒng)。氣體為NO2，流速為300sccm，濃度范圍為\n1-5ppm。圖5為本實(shí)施例的方法制備的傳感器所測(cè)到的電流隨時(shí)間的變化曲線，未引入NO2氣體后，電流約?1nA,然后隨著氣體進(jìn)入，電流表現(xiàn)出迅速增大趨勢(shì)，在4分鐘NO2氣體脈沖內(nèi)，電流變化值隨著氣體濃度增大而增大，1-5ppm對(duì)應(yīng)的響應(yīng)度(為電流變化值除以電流初始值的百分比，即(ΔI/I0)100％)從2500％增大至25000％，NO2氣體撤去后，電流迅速恢復(fù)到初始值。\n[0051] 實(shí)施例4\n[0052] 本實(shí)施例提供了一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括自下而上依次設(shè)置的基底1、絕緣層2、表面修飾層3、活性敏感層4以及源漏電極5，絕緣層2的材質(zhì)為三氧化二鋁，厚度為100nm，表面修飾層3的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，厚度為2nm，含端氨基的硅烷化合物的分子式為H2N-(CH2)8-Si(OCH3)3，活性敏感層4的材質(zhì)為并五苯，厚度為\n20nm。在硅基底上用原子層沉積方法制備三氧化二鋁層；然后在三氧化二鋁層采用前述的方法制備表面修飾層；然后以速率1nm/min真空沉積上并五苯薄膜，之后采用掩膜版沉積上源漏電極，即可獲得NO2氣體傳感器。\n[0053] 實(shí)施例5\n[0054] 本實(shí)施例提供了一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括自下而上依次設(shè)置的基底1、絕緣層2、表面修飾層3、活性敏感層4以及源漏電極5，絕緣層2的材質(zhì)為三氧化二鋁，厚度為100nm，表面修飾層3的材質(zhì)為含端氨基的硅烷化合物，厚度為3nm，含端氨基的硅烷化合物的分子式為H2N-(CH2)14-Si(OCH2CH3)3，活性敏感層4的材質(zhì)為?TIPS-pentacene，厚度為30nm。在硅基底上用原子層沉積方法制備三氧化二鋁層；然后在三氧化二鋁層采用前述的方法制備表面修飾層；然后以1nm/min的速率沉積上TIPS-pentacene?薄膜，之后采用掩膜版沉積上源漏電極，即可獲得NO2氣體傳感器。\n[0055] 實(shí)施例6\n[0056] 本實(shí)施例提供了一種NO2化學(xué)電阻式氣體傳感器，包括自下而上依次設(shè)置的基底、柵極、絕緣層、表面修飾層、活性敏感層以及源漏電極，基底為玻璃，柵極為Cr，厚度為30nm，絕緣層為二氧化硅，厚度為300nm，表面修飾層為H2N-(CH2)14-Si(OCH2CH3)3，活性敏感層為并五苯，厚度為20nm，源漏電極為金，厚度為30nm。在玻璃基底上以濺射方式沉積上柵極，然后以原子層沉積方法制備二氧化硅；在二氧化硅表面利用前述方法制備表面修飾層，然后以1nm/min的速率沉積上并五苯薄膜，之后采用掩膜版沉積上源漏電極，即可獲得NO2氣體傳感器。\n[0057] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，并不用于限制本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。