一種芯片故障檢測(cè)方法及裝置

1.一種芯片故障檢測(cè)方法，其特征在于，包括：
在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；
檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，若未處于，將該檢測(cè)點(diǎn)確定為一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)；
當(dāng)存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，判定所述待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)；
其中，檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，具體包括：
第一比較器的負(fù)極輸入端接收在確定出的該檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值，正極輸入端接收所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值；
第二比較器的負(fù)極輸入端接收所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，正極輸入端接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值，并通過(guò)輸出端輸出第一比較結(jié)果至第一觸發(fā)器的D輸入端；
第三比較器的負(fù)極輸入端接收在該檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值，正極輸入端接收所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，并通過(guò)輸出端輸出第二比較結(jié)果至第二觸發(fā)器的D輸入端；
當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值時(shí)，第一比較器觸發(fā)第一觸發(fā)器的Q輸出端輸出第一觸發(fā)器的D輸入端接收到的第一比較結(jié)果，并觸發(fā)第二觸發(fā)器的Q輸出端輸出第二觸發(fā)器的D輸入端接收到的第二比較結(jié)果；
若所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果均為1，確定待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)；若所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果中，至少一個(gè)不為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，按照如下公式規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的取值范圍：
Imax=I*(1+r1)；Imin=I*(1-r2)，其中：
I表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，所述待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)的實(shí)際吸收電流值；
r1表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率，r2表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第二誤差率；
Imax表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值；
Imin表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值。
3.一種芯片故障檢測(cè)裝置，其特征在于，包括電流轉(zhuǎn)化單元，判定單元和至少一個(gè)檢測(cè)單元，各檢測(cè)單元之間采用并聯(lián)方式連接，其中：
所述電流轉(zhuǎn)化單元，用于將待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值轉(zhuǎn)化為實(shí)際吸收電流值輸出；
每一個(gè)檢測(cè)單元，用于在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；并檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，若未處于，將該檢測(cè)點(diǎn)確定為一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)；
所述判定單元，用于當(dāng)存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，判定所述待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)；
其中，所述每一個(gè)檢測(cè)單元，包括第一比較器，第二比較器，第三比較器，第一觸發(fā)器、第二觸發(fā)器和確定模塊：
所述第一比較器的負(fù)極輸入端用于接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值，正極輸入端用于接收所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值，輸出端用于在待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到在該檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值時(shí)，觸發(fā)第一觸發(fā)器的Q輸出端輸出第一觸發(fā)器的D輸入端接收到的第一比較結(jié)果，并觸發(fā)第二觸發(fā)器的Q輸出端輸出第二觸發(fā)器的D輸入端接收到的第二比較結(jié)果；
所述第二比較器的負(fù)極輸入端用于接收所述電流轉(zhuǎn)化單元輸出的、所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，正極輸入端用于接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值，輸出端用于將第一比較結(jié)果輸出至所述第一觸發(fā)器的D輸入端；
所述第三比較器的負(fù)極輸入端用于接收在該檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值，正極輸入端用于接收所述電流轉(zhuǎn)化單元輸出的、所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，輸出端用于將第二比較結(jié)果輸出至所述第二觸發(fā)器的D輸入端；
確定模塊，用于在所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果均為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)；在所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果中，至少一個(gè)不為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，
所述檢測(cè)單元，具體用于按照如下公式規(guī)定實(shí)際吸收電流值的取值范圍：
Imax=I*(1+r1)；Imin=I*(1-r2)，其中：
I表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，所述待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)對(duì)應(yīng)的實(shí)際吸收電流值；
r表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率，r2表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第二誤差率；
Imax表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的吸收電流值的上限值；
Imin表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定所述待檢測(cè)芯片的吸收電流值的下限值。
5.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電流轉(zhuǎn)化單元，包括阻值為1歐姆的固定電阻和減法器，其中：
所述固定電阻與所述待檢測(cè)芯片串聯(lián)，所述減法器的兩個(gè)輸入端分別與所述固定電阻相連。
6.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電流轉(zhuǎn)化單元為電流傳感器。

一種芯片故障檢測(cè)方法及裝置\n技術(shù)領(lǐng)域\n[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片故障檢測(cè)方法及裝置。\n背景技術(shù)\n[0002] 目前，電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備中都包含有大量的芯片，電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備的正常工作需要依賴于這些芯片。如果在運(yùn)行過(guò)程中，某一芯片處于故障狀態(tài)，將影響電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備的正常工作?，F(xiàn)有技術(shù)中，檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)的檢測(cè)方式為：先停止電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備的工作，將待檢測(cè)芯片取出，借助專門(mén)的芯片檢測(cè)儀器進(jìn)行檢測(cè)。\n對(duì)于芯片是否處于故障狀態(tài)的判定，主要是以芯片的啟動(dòng)電流為依據(jù)的，這是由于芯片正常工作時(shí)，在其啟動(dòng)過(guò)程中的電流，是符合一條特定的I(電流)V(電壓)曲線變化的，如果其啟動(dòng)電流曲線偏差超過(guò)一定范圍，則判定該芯片處于故障狀態(tài)。對(duì)于單顆孤立的芯片，最常用的檢測(cè)設(shè)備是圖示儀，其檢測(cè)原理為：通過(guò)給待檢測(cè)芯片提供一個(gè)由低到高變化的電壓，來(lái)測(cè)量其對(duì)應(yīng)不同供電電壓值時(shí)，待檢測(cè)芯片的吸收電流值的大小，并以曲線形式進(jìn)行顯示，將顯示的IV曲線與正常工作芯片的IV曲線進(jìn)行比較，判定待檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)。\n[0003] 基于此，現(xiàn)有技術(shù)中，主要有以下三種檢測(cè)方案：1、X射線透視：采用X光透視芯片內(nèi)部，查看芯片內(nèi)部電路是否出現(xiàn)異常；2、圖示儀測(cè)量IV(電壓)：利用專門(mén)的檢測(cè)儀器，產(chǎn)生一個(gè)變化的電壓供給芯片，并對(duì)應(yīng)電壓的變化，測(cè)量芯片電流的變化，以IV曲線形式進(jìn)行顯示，并與正常芯片的IV曲線進(jìn)行比較，以此判斷芯片是否處于故障狀態(tài)；3、切割芯片：\n通過(guò)拆解芯片內(nèi)部結(jié)果，在顯微鏡下，對(duì)拆解后的芯片內(nèi)部電路進(jìn)行查看，以確定芯片是否處于故障狀態(tài)。\n[0004] 由于上述三種方案中，均需要借助專門(mén)檢測(cè)儀器對(duì)芯片進(jìn)行檢測(cè)，其前提條件是包含待檢測(cè)芯片的電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備需要停止工作，這樣，就影響了相關(guān)的電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備的正常運(yùn)行。\n發(fā)明內(nèi)容\n[0005] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片故障檢測(cè)方法及裝置，用以在電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備正常運(yùn)行的前提下，檢測(cè)該電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備包含的芯片是否處于故障狀態(tài)。\n[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片檢測(cè)方法，包括：\n[0007] 在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；\n[0008] 檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，若未處于，將該檢測(cè)點(diǎn)確定為一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)；\n[0009] 當(dāng)存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，判定所述待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。\n[0010] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片檢測(cè)裝置，包括電流轉(zhuǎn)化單元，判定單元和至少一個(gè)檢測(cè)單元，各檢測(cè)單元之間采用并聯(lián)方式連接，其中：\n[0011] 所述電流轉(zhuǎn)化單元，用于將待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值轉(zhuǎn)化為實(shí)際吸收電流值輸出；\n[0012] 每一個(gè)檢測(cè)單元，用于在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；并檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，若未處于，將該檢測(cè)點(diǎn)確定為一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)；\n[0013] 所述判定單元，用于當(dāng)存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，判定所述待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。\n[0014] 本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片故障檢測(cè)方法及裝置，在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)該待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到該檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，如果檢測(cè)該待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)時(shí)，將該檢測(cè)點(diǎn)作為一個(gè)不滿足條件的監(jiān)測(cè)點(diǎn)，若存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，則判定該待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。這樣，無(wú)需包含該待檢測(cè)芯片的電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備停止工作，在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中即可檢測(cè)出待檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)。\n[0015] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在所寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。\n附圖說(shuō)明\n[0016] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中，待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中供電電壓值變化示意圖；\n[0017] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中，處于正常工作狀態(tài)與處于故障狀態(tài)的芯片的IV曲線對(duì)比示意圖；\n[0018] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例中，芯片故障檢測(cè)方法實(shí)施流程示意圖；\n[0019] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中，在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片分別處于正常狀態(tài)和故障狀態(tài)時(shí)，第二比較器、第三比較器以及第一觸發(fā)器和第二觸發(fā)器的輸出結(jié)果示意圖；\n[0020] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例中，芯片故障檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；\n[0021] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例中，檢測(cè)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；\n[0022] 圖7a為本發(fā)明實(shí)施例中，電流轉(zhuǎn)化單元包括固定電阻和減法器的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；\n[0023] 圖7b為本發(fā)明實(shí)施例中，電流轉(zhuǎn)化單元為電流傳感器的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；\n[0024] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例中，包含三個(gè)檢測(cè)單元的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。\n具體實(shí)施方式\n[0025] 為了在電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)，檢測(cè)其所包含的芯片是否處于故障狀態(tài)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片故障檢測(cè)方法及裝置。\n[0026] 以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明，并且在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。\n[0027] 對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，要讓其正常工作，必須提供一個(gè)工作電壓Vcc，而當(dāng)芯片正常運(yùn)作時(shí)，其吸收電流值為Icc。但是，芯片的供電電壓值并不是直接就達(dá)到其工作電壓Vcc的，而是從0到Vcc隨時(shí)間緩慢上升的過(guò)程，這一過(guò)程稱為芯片的啟動(dòng)過(guò)程。\n[0028] 如圖1所示，為待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，供電電壓值變化示意圖，橫坐標(biāo)表示時(shí)間T，縱坐標(biāo)表示芯片的供電電壓值V，芯片的供電電壓值在t0時(shí)刻達(dá)到Vb，在t1時(shí)刻達(dá)到Va，在t2時(shí)刻達(dá)到工作電壓Vcc。\n[0029] 對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，當(dāng)供電電壓值不同時(shí)，對(duì)應(yīng)的吸收電流值也不同，且芯片的供電電壓值與芯片的吸收電流值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系符合一條特定的IV曲線。對(duì)于同一型號(hào)的芯片，由于其內(nèi)部硬件架構(gòu)都是相同的，所以其IV曲線也是一樣的，當(dāng)芯片處于故障狀態(tài)時(shí)，其電流特性必然發(fā)生變化，反映在IV曲線上就是IV曲線出現(xiàn)異常。\n[0030] 如圖2所示，為處于正常工作狀態(tài)與處于故障狀態(tài)的芯片的IV曲線對(duì)比示意圖。\n橫坐標(biāo)表示芯片的供電電壓值，縱坐標(biāo)表示芯片的吸收電流值，其中，實(shí)線表示處于正常工作狀態(tài)的芯片的供電電壓值與芯片的實(shí)際吸收電流值的IV曲線，虛線表示處于故障狀態(tài)的芯片的供電電壓值與芯片的實(shí)際吸收電流值的IV曲線。由圖2可知，隨著芯片的供電電壓值的升高，其吸收電流值也增大，因?yàn)閷?duì)于芯片來(lái)說(shuō)，供電電壓值較低，其吸收電流值小于正常工作電流，這時(shí)芯片無(wú)法工作。當(dāng)芯片的供電電壓值逐漸達(dá)到其工作電壓Vcc時(shí)，芯片的吸收電流值也逐漸增大到其工作電流Icc，芯片開(kāi)始正常工作，所以芯片的IV曲線可以以上升趨勢(shì)的曲線來(lái)表示。\n[0031] 從對(duì)比圖2中的兩條IV曲線中可以看出，當(dāng)芯片的工作電壓為Vcc時(shí)，無(wú)論芯片是否處于故障狀態(tài)，其吸收電流值都是Icc，因此，從工作時(shí)的芯片的吸收電流值來(lái)判斷芯片是否處于故障狀態(tài)時(shí)不可靠的，因?yàn)?，很多時(shí)候即使芯片處于故障狀態(tài)，也是可以持續(xù)工作的，只是在某種特定的觸發(fā)條件下，例如高溫，或者低溫等，才會(huì)表現(xiàn)出發(fā)生故障?；谏鲜龇治?，本發(fā)明實(shí)施例提供一種在芯片啟動(dòng)過(guò)程中，檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)的檢測(cè)方法及裝置，用以根據(jù)芯片的實(shí)際吸收電流值，判斷芯片是否處于故障狀態(tài)。舉例說(shuō)明，當(dāng)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)，當(dāng)芯片的供電電壓值為Va時(shí)，芯片的實(shí)際吸收電流為Ia，考慮到實(shí)際需要，可以允許芯片的實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)一定的誤差率，以允許芯片的實(shí)際吸收電流出現(xiàn)10％的誤差率為例，芯片的實(shí)際吸收電流值的取值范圍為[0.9Ia，1.1Ia]，在芯片的啟動(dòng)過(guò)程中，若檢測(cè)到芯片的實(shí)際吸收電流在[0.9Ia，1.1Ia]之間，則說(shuō)明芯片處于正常工作狀態(tài)，否則說(shuō)明芯片處于故障狀態(tài)。\n[0032] 實(shí)施例一\n[0033] 如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片故障檢測(cè)方法的實(shí)施流程示意圖，包括如下步驟：\n[0034] S301、在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；\n[0035] S302、檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，若未處于，將該檢測(cè)點(diǎn)確定為一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)；\n[0036] S303、當(dāng)存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，判定該待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。\n[0037] 具體實(shí)施時(shí)，為了保證芯片故障檢測(cè)的準(zhǔn)確性，可以在芯片啟動(dòng)上電的過(guò)程中，抽取多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。以抽取三個(gè)檢測(cè)點(diǎn)為例，假設(shè)在抽取的檢測(cè)點(diǎn)處，芯片對(duì)應(yīng)的供電電壓值分別為Va，Vb和Vc，判斷芯片在每一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，如果是，則說(shuō)明芯片處于正常工作狀態(tài)，如果否，則說(shuō)明芯片處于故障狀態(tài)。\n[0038] 具體實(shí)施時(shí)，在步驟302中，可以按照如下過(guò)程檢測(cè)待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)：\n[0039] 步驟1、第一比較器的負(fù)極輸入端接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值，正極輸入端接收所述待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值；\n[0040] 步驟2、第二比較器的負(fù)極輸入端接收待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，正極輸入端接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定該待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值，并通過(guò)輸出端輸出第一比較結(jié)果至第一觸發(fā)器的D輸入端；\n[0041] 步驟3、第三比較器的負(fù)極輸入端接收在該檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定該待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值，正極輸入端接收該待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，并通過(guò)輸出端輸出第二比較結(jié)果至第二觸發(fā)器的D輸入端；\n[0042] 步驟4、當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到在該檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值時(shí)，第一比較器觸發(fā)第一觸發(fā)器的Q輸出端輸出第一觸發(fā)器的D輸入端接收到的第一比較結(jié)果，并觸發(fā)第二觸發(fā)器的Q輸出端輸出第二觸發(fā)器的D輸入端接收到的第二比較結(jié)果；\n[0043] 步驟5、若第一觸發(fā)器的Q輸出端輸出的第一比較結(jié)果和第二觸發(fā)器的Q輸出端輸出的第二比較結(jié)果均為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)；若第一觸發(fā)器的Q輸出端輸出的第一比較結(jié)果和第二觸發(fā)器的Q輸出端輸出的第二比較結(jié)果中，至少一個(gè)不為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)。\n[0044] 具體的，可以按照如下公式規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的取值范圍：Imax＝I*(1+r1)；Imin＝I*(1-r2)，其中：I表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)對(duì)應(yīng)的實(shí)際吸收電流值；r1表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率，r2表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第二誤差率；Imax表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值；Imin表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值。特別地，具體實(shí)施時(shí)，預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率和第二誤差率可以相同，即r1＝r2。為了便于描述，以下以r1＝r2＝r為例進(jìn)行說(shuō)明。\n[0045] 如圖4所示，為在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片分別處于正常狀態(tài)和故障狀態(tài)時(shí)，第二比較器和第三比較器以及第一觸發(fā)器和第二觸發(fā)器的輸出結(jié)果示意圖。以在該檢測(cè)點(diǎn)處，芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)，對(duì)應(yīng)的電壓值和電流值為(V，I)，允許實(shí)際吸收電流出現(xiàn)的第一誤差率和第二誤差率均為10％為例。其中，V1為待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)、電流為1.1I時(shí)，所對(duì)應(yīng)的電壓值，V2為待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)、電流為0.9I時(shí)，所對(duì)應(yīng)的電壓值。若待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)，若供電電壓值為V，其實(shí)際吸收電流可能遠(yuǎn)大于1.1I或者遠(yuǎn)小于0.9I。圖4中，以待檢測(cè)芯片在供電電壓值為V時(shí)，該待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值遠(yuǎn)大于1.1I為例進(jìn)行說(shuō)明。由于當(dāng)待檢測(cè)芯片的供電電壓值還未達(dá)到V時(shí)，該待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值就遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于1.1I，因此，第二比較器和第三比較器提前發(fā)生跳變，使得當(dāng)待檢測(cè)芯片的供電電壓值上升到V時(shí)，由于第二比較器負(fù)極輸入端的輸入值大于正極輸入端的輸入值，第三比較器的正極輸入端的輸入值大于負(fù)極輸入端的輸入值，從而使得第一觸發(fā)器的Q輸出端的輸出為0，第二觸發(fā)器的Q輸出端的輸出為1，這說(shuō)明當(dāng)待檢測(cè)芯片的供電電壓值達(dá)到V時(shí)，該待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值大于1.1I，則可以判定芯片處于故障狀態(tài)。\n[0046] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種芯片故障檢測(cè)裝置，由于該裝置解決問(wèn)題的原理與上述芯片故障檢測(cè)方法相似，因此該裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述芯片故障檢測(cè)方法的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。\n[0047] 實(shí)施例二\n[0048] 本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)芯片故障檢測(cè)裝置進(jìn)行說(shuō)明。\n[0049] 如圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施提供的芯片故障檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括電流轉(zhuǎn)化單元501，判定單元502和至少一個(gè)檢測(cè)單元503，各檢測(cè)單元503之間采用并聯(lián)方式連接，其中：\n[0050] 電流轉(zhuǎn)化單元501，用于將待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值轉(zhuǎn)化為實(shí)際吸收電流值輸出；\n[0051] 每一個(gè)檢測(cè)單元503，用于在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；并檢測(cè)待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)，若未處于，將該檢測(cè)點(diǎn)確定為一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)；\n[0052] 判定單元502，用于當(dāng)存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，判定所述待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。\n[0053] 具體實(shí)施中，一個(gè)檢測(cè)單元用于檢測(cè)一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)。也就是說(shuō)，如果抽取n個(gè)檢測(cè)點(diǎn)進(jìn)行芯片故障檢測(cè)的話，對(duì)應(yīng)的需要有n個(gè)檢測(cè)單元，各檢測(cè)單元之間以并聯(lián)方式連接。\n[0054] 實(shí)施例三\n[0055] 本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)檢測(cè)單元503的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。\n[0056] 如圖6所示，為檢測(cè)單元503的結(jié)構(gòu)示意圖，包括：第一比較器5031，第二比較器\n5032，第三比較器5033，第一觸發(fā)器5034、第二觸發(fā)器5035和確定模塊5036，其中：\n[0057] 第一比較器5031的負(fù)極輸入端與恒壓源相連，接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值；第一比較器5031的正極輸入端與待檢測(cè)芯片的供電電壓值相連，用于接收待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值；第一比較器5031的輸出端分別與第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的CLK管腳相連，用于在待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到在該檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值時(shí)，觸發(fā)第一觸發(fā)器5034的Q輸出端輸出第一觸發(fā)器5034的D輸入端接收到的第一比較結(jié)果，并觸發(fā)第二觸發(fā)器5035的Q輸出端輸出第二觸發(fā)器5034的D輸入端接收到的第二比較結(jié)果；\n[0058] 第二比較器5032的負(fù)極輸入端與電流轉(zhuǎn)化單元501的輸出端相連，用于接收電流轉(zhuǎn)化單元501輸出的、待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值；第二比較器5032的正極輸入端與第一恒流源相連，用于接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定的待檢測(cè)芯片的吸收電流值的上限值，第二比較器5032的輸出端與第一觸發(fā)器5034的D輸入端相連，用于將第一比較結(jié)果輸出至第一觸發(fā)器5034的D輸入端；\n[0059] 第三比較器5033的負(fù)極輸入端與第二恒流源相連，用于接收在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定的待檢測(cè)芯片的吸收電流值的下限值；第三比較器5033的正極輸入端與電流轉(zhuǎn)化單元501的輸出端相連，用于電流轉(zhuǎn)化單元501輸出的、待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值；第三比較器5033的輸出端與第二觸發(fā)器5035的D輸入端相連，用于將第二比較結(jié)果輸出至第二觸發(fā)器5035的D輸入端；\n[0060] 確定模塊5036，分別與第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端相連，用于在第一觸發(fā)器5034的Q輸出端輸出的第一比較結(jié)果和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端輸出的第二比較結(jié)果均為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)；在第一觸發(fā)器5034的Q輸出端輸出的第一比較結(jié)果和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端輸出的第二比較結(jié)果中，至少一個(gè)不為1時(shí)，確定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)。\n[0061] 具體實(shí)施中，檢測(cè)單元503，可以用于按照如下公式規(guī)定實(shí)際吸收電流值的取值范圍：Imax＝I*(1+r1)；Imin＝I*(1-r2)，其中：I表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)時(shí)對(duì)應(yīng)的吸收電流值；r1表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率，r2表示預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第二誤差率；Imax表示在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值；Imin表示在選取的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值。特別地，具體實(shí)施時(shí)，預(yù)設(shè)的、允許實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率和第二誤差率可以相同，即r1＝r2。\n[0062] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，第一比較器5031的負(fù)極輸入端接收到的輸入值為設(shè)置好的穩(wěn)定電壓值，第二比較器5032的正極輸入端以及第三比較器5033的負(fù)極輸入端接收到的輸入值均為提前設(shè)置好的恒定電流值，對(duì)于穩(wěn)定電壓或者恒定電流的產(chǎn)生可以直接使用恒壓源或者穩(wěn)壓管等方式產(chǎn)生。\n[0063] 具體實(shí)施中，電流轉(zhuǎn)化單元501，可以包括阻值為1歐姆的固定電阻5011和減法器5012，如圖7a所示，為電流轉(zhuǎn)化單元501包括固定電阻和減法器時(shí)，檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7a中以檢測(cè)裝置包括一個(gè)檢測(cè)單元為例。其中，固定電阻5011與待檢測(cè)芯片串聯(lián)；\n減法器5012的一輸入端與固定電阻5011的一端相連，減法器5012的另一輸入端與固定電阻5011的另一端相連；減法器5012的輸出端分別與第二比較器5032的負(fù)極輸入端和第三比較器5033的正極輸入端相連。\n[0064] 具體實(shí)施中，電流轉(zhuǎn)化單元501，可以為電流傳感器5013，如圖7b所示，為電流轉(zhuǎn)化單元501為電流傳感器5013時(shí)，檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7b中以檢測(cè)裝置包括一個(gè)檢測(cè)單元為例。其中，電流傳感器5013一輸入端與待檢測(cè)芯片的供電電壓值相連，電流傳感器5013的另一輸入端與待檢測(cè)芯片相連；電流傳感器5013的輸出端分別與第二比較器\n5032的負(fù)極輸入端和第三比較器5033的正極輸入端相連。\n[0065] 為了便于理解本發(fā)明實(shí)施例的芯片故障檢測(cè)原理，以下分別介紹本發(fā)明實(shí)施例中涉及的各電子器件的工作原理。減法器，減法器的輸出端的輸出值等效于兩個(gè)輸入端的輸入值的差值；比較器，當(dāng)比較器正極的輸入值大于負(fù)極的輸入值時(shí)，比較器的輸出端的輸出為高電平，當(dāng)比較器正極的輸入值小于等于負(fù)極的輸入值時(shí)，比較器的輸出端的輸出為低電平(在數(shù)字電路中，高電平可以用1表示，低電平可以用0表示，為了便于描述，本發(fā)明實(shí)施例中以1表示高電平，以0表示低電平)；觸發(fā)器，當(dāng)觸發(fā)器的CLK管腳接收一個(gè)有0到1的上升沿時(shí)，將觸發(fā)觸發(fā)器的Q輸出端鎖定觸發(fā)器的D輸入端的輸入值，并輸出；電流傳感器，可以將電路中的電流轉(zhuǎn)化為電流值輸出。\n[0066] 本發(fā)明實(shí)施例提供的檢測(cè)裝置的檢測(cè)原理如下：第一比較器5031的負(fù)極輸入端接收的是在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片正常工作時(shí)的供電電壓值，假設(shè)為Va，即第一比較器5031的負(fù)極輸入端接收一個(gè)電壓值為Va的恒定電壓值，第一比較器5031的正極輸入端接收待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值，在芯片的啟動(dòng)過(guò)程中，待檢測(cè)芯片的供電電壓值將逐漸上升至Va，在待檢測(cè)芯片的供電電壓值達(dá)到Va之前，對(duì)于第一比較器5031來(lái)說(shuō)，負(fù)極輸入端的輸入值大于正極輸入端的輸入值，因此，第一比較器5031輸出端的輸出值為0，當(dāng)待檢測(cè)芯片的供電電壓值達(dá)到Va后的瞬間，第一比較器5031的負(fù)極輸入端的輸入值小于正極輸入端的輸入值，因此，第一比較器5031的輸出端的輸出值將跳變?yōu)?，從而使得第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的CLK管腳接收一個(gè)0到1的上升沿，使得第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端將鎖定各自的D輸入端的輸入值。對(duì)于第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的D輸入端來(lái)說(shuō)，其接收的輸入值分別來(lái)自第二比較器5032和第三比較器5033的輸出端的輸出值。對(duì)于第二比較器5032來(lái)說(shuō)，其負(fù)極輸入端接收的輸入值為電流轉(zhuǎn)化單元501的輸出值，以電流轉(zhuǎn)化單元501包括固定電阻5011和減法器5012為例，根據(jù)減法器的原理，減法器5012的輸出值為其兩個(gè)輸入端的輸入值的差值，由于減法器5012的兩個(gè)輸入端分別與固定電阻5011的兩端相連，使得減法器5012的兩個(gè)輸入端的差值為固定電阻兩端的電壓差值，而固定電阻的阻值為1歐姆，因此，固定電阻兩端的電壓差值即為通過(guò)固定電阻的電流值，由于固定電阻5011與待檢測(cè)芯片串聯(lián)，從而，通過(guò)固定電阻5011的電流與待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值相同，也就是說(shuō)，減法器5012的輸出端的輸出值即為待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值，假設(shè)為I。從而，第二比較器5032的負(fù)極輸入端接收的輸入值為待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值I，第二比較器5032的正極輸入端接收的輸入值在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的上限值，以允許待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值出現(xiàn)的第一誤差率和第二誤差率均為10％為例，第二比較器的正極輸入端接收的輸入值可以設(shè)置為1.1Ia，Ia為芯片處于正常工作狀態(tài)的情況下，當(dāng)待檢測(cè)芯片的供電電壓值為Va時(shí)，待檢測(cè)芯片對(duì)應(yīng)的實(shí)際吸收電流值。若芯片處于正常工作狀態(tài)，芯片吸收的電流應(yīng)該在[0.9Ia，1.1Ia]之間，從而，第二比較器5032的負(fù)極輸入端的輸入值小于正極輸入端的輸入值，因此，第二比較器5032的輸出端的輸出值為1，即第一觸發(fā)器5034的D輸入端的輸入值為1，當(dāng)?shù)谝挥|發(fā)器5034的Q輸出端鎖定第一觸發(fā)器5034的D輸入端的輸入值時(shí)，第一觸發(fā)器5034的Q輸出端也為1；對(duì)于第三比較器5033來(lái)說(shuō)，其負(fù)極輸入端的輸入值為在確定出的檢測(cè)點(diǎn)處，規(guī)定待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值的下限值，以第三比較器5033負(fù)極的輸入值設(shè)置為0.9Ia為例，第三比較器5033正極輸入端的輸入值為減法器5012的輸出端的輸出值，即待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值I，若待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)，I處于[0.9Ia，1.1Ia]之間，因此，第三比較器5033的負(fù)極輸入端的輸入值小于正極輸入端的輸入值，從而，第三比較器5033的輸出端的輸出值也為1，即第二觸發(fā)器5035的D輸入端接收的輸入值為1，當(dāng)?shù)诙|發(fā)器5035的Q輸出端鎖定第二觸發(fā)器的D輸入端的輸入值時(shí)，Q輸出端的輸出值也為1。從而，若待檢測(cè)芯片處于正常工作狀態(tài)，第一觸發(fā)器\n5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端的輸出值均為1，也就是說(shuō)第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端的輸出值為(1，1)。\n[0067] 當(dāng)待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)時(shí)，當(dāng)供電電壓值達(dá)到Va時(shí)，待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值I要么大于1.1Ia，要么小于0.9Ia。以待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值大于1.1Ia為例，對(duì)于第二比較器5032來(lái)說(shuō)，其負(fù)極輸入端的輸入值大于正極輸入端的輸入值，因此，第二比較器5032的輸出端的輸出值為0，相應(yīng)的，第一觸發(fā)器5034的D輸入端的輸入值為0，當(dāng)?shù)谝挥|發(fā)器5034的Q輸出端鎖定D輸入端的輸入值時(shí)，使得第一觸發(fā)器5034的Q輸出端的輸出值為0；對(duì)于第三比較器5033來(lái)說(shuō)，其負(fù)極輸入端的輸入值小于正極輸入端的輸入值，因此，第三比較器5033的輸出端的輸出值為1，相應(yīng)的，第二觸發(fā)器5035的D輸入端的輸入值為1，當(dāng)?shù)诙|發(fā)器5035的Q輸出端鎖定D輸入端的輸入值時(shí)，使得第二觸發(fā)器\n5035的Q輸出端的輸出值為1。也就是說(shuō)第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端的輸出值為(0，1)。同理，當(dāng)待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值小于0.9Ia時(shí)，第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端的輸出值為(1，0)。從而，根據(jù)第一觸發(fā)器5034和第二觸發(fā)器5035的Q輸出端的輸出值即可判斷待檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)。\n[0068] 具體實(shí)施中，每一個(gè)檢測(cè)單元用于檢測(cè)芯片在預(yù)先選取的一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的實(shí)際吸收電流值是否處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)。如圖8所示，為包含三個(gè)檢測(cè)單元的檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8中以電流轉(zhuǎn)化單元包括固定電阻和減法器為例，相應(yīng)的，在待檢測(cè)芯片的啟動(dòng)過(guò)程中，抽取三個(gè)檢測(cè)點(diǎn)分別進(jìn)行檢測(cè)，以在每個(gè)檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片的供電電壓值和吸收電流值分別為(Va，Ia)，(Vb，Ib)和(Vc，Ic)為例，每個(gè)檢測(cè)單元的檢測(cè)過(guò)程與上述檢測(cè)裝置只包含一個(gè)檢測(cè)單元時(shí)的檢測(cè)過(guò)程相同，這里不再贅述。當(dāng)檢測(cè)出存在至少一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)處，待檢測(cè)芯片的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)時(shí)，則可以判定該待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。\n[0069] 由于本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片故障檢測(cè)方法及裝置能夠在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，對(duì)待檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)，從而，無(wú)需包含該待檢測(cè)芯片的電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備停止工作，實(shí)現(xiàn)了在電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備正常工作的前提下，檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)的目的。\n[0070] 本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片故障檢測(cè)方法及裝置，在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中，當(dāng)該待檢測(cè)芯片的實(shí)際供電電壓值達(dá)到該檢測(cè)點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的供電電壓值時(shí)，確定此時(shí)為一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，如果檢測(cè)該待檢測(cè)芯片在此時(shí)的實(shí)際吸收電流值不處于規(guī)定的取值范圍之內(nèi)時(shí)，將該檢測(cè)點(diǎn)作為一個(gè)不滿足條件的監(jiān)測(cè)點(diǎn)，若存在至少一個(gè)不滿足條件的檢測(cè)點(diǎn)時(shí)，則判定該待檢測(cè)芯片處于故障狀態(tài)。這樣，無(wú)需包含該待檢測(cè)芯片的電子產(chǎn)品或者電子設(shè)備停止工作，在待檢測(cè)芯片啟動(dòng)過(guò)程中即可檢測(cè)出待檢測(cè)芯片是否處于故障狀態(tài)。\n[0071] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。