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一種硫化鉬圖像傳感存儲器及其制備方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201910316911.8
IPC分類號：H01L27/146;H01L27/24
申請日期：
2019-04-19
申請人：
華中科技大學(xué)

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項信息

專利名稱	一種硫化鉬圖像傳感存儲器及其制備方法
申請?zhí)?/td>	CN201910316911.8	申請日期	2019-04-19
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	中國
公開/公告日	2019-08-16	公開/公告號	CN110137192A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L27/146 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L27/00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多個單個固態(tài)器件組成的組裝件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的（只與一個或多個電光源在結(jié)構(gòu)上相結(jié)合的輻射敏感元件入H01L 31/14；光導(dǎo)與光電元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由輻射控制的器件〔5〕 H01L27/146 圖像結(jié)構(gòu)〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分類表>
申請人	華中科技大學(xué)	申請人地址	湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	華中科技大學(xué)	當(dāng)前權(quán)利人	華中科技大學(xué)
發(fā)明人	廖廣蘭;孫博;王子奕;史鐵林;譚先華
代理機(jī)構(gòu)	華中科技大學(xué)專利中心	代理人	暫無

摘要

本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域，并具體公開了一種硫化鉬圖像傳感存儲器及其制備方法。該方法包括如下步驟在基底上制備連續(xù)硫化鉬薄膜；然后制備傳感器的金屬電極對、存儲器的第一金屬電極層和金屬對準(zhǔn)標(biāo)記，金屬電極對的一端與第一金屬電極層連接；在第一金屬電極層的表面制備絕緣層，并在絕緣層的表面制備第二金屬電極層，最后進(jìn)行封裝獲得硫化鉬圖像傳感存儲器。本發(fā)明將傳感器與存儲器結(jié)合，可充分利用各自的優(yōu)異特性，實現(xiàn)對可見光進(jìn)行有效探測和存儲的目的，并且具有易于制備、性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)，為視網(wǎng)膜?視神經(jīng)仿生、類視神經(jīng)計算等技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展提供了新的思路和工具。

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