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一種水平式碳化硅高溫氧化裝置

發(fā)明專利有效專利

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CN201210226334.1
IPC分類號：C30B33/02;C30B29/36
申請日期：
2012-07-02
申請人：
東莞市天域半導體科技有限公司

基礎信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	一種水平式碳化硅高溫氧化裝置
申請?zhí)?/td>	CN201210226334.1	申請日期	2012-07-02
法律狀態(tài)	暫無	申報國家	中國
公開/公告日	2012-10-24	公開/公告號	CN102747425A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	C30B33/02 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： C 化學；冶金 C2 冶金 C30 晶體生長〔3〕 C30B 單晶生長（用超高壓的，例如用于金剛石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分層；材料的區(qū)熔精煉（金屬或合金的區(qū)熔精煉入C22B）；具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料的制備（金屬鑄造，按同樣工藝或裝置的其他物質(zhì)鑄造入B22D；塑料的加工入B29；改變金屬或合金的物理結(jié)構(gòu)入C21D、C22F）；單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料；單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料之后處理（用于半導體器件或元件生產(chǎn)的入H01L）；其所用的裝置〔3〕 C30B33/00 單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料的后處理（C30B 31/00優(yōu)先）〔3，5〕 C30B33/02 熱處理（C30B 33/04、C30B 33/06優(yōu)先）〔5〕	IPC分類號	C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分類表>
申請人	東莞市天域半導體科技有限公司	申請人地址	廣東省東莞市松山湖北部工業(yè)北一路五號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	東莞市天域半導體科技有限公司	當前權(quán)利人	東莞市天域半導體科技有限公司
發(fā)明人	孫國勝;董林;王雷;趙萬順;劉興昉;閆果果;鄭柳
代理機構(gòu)	廣州市南鋒專利事務所有限公司	代理人	羅曉聰

摘要

本發(fā)明公開一種水平式碳化硅高溫氧化裝置，其包括：水平設置的雙層石英管嵌套結(jié)構(gòu)，其包括：一水平放置的外層石英管及內(nèi)嵌于外層石英管中的內(nèi)層石英管，該內(nèi)、外層石英管之間形成一水平方向的環(huán)形空腔，該雙層石英管嵌套結(jié)構(gòu)兩端分別通過一密封結(jié)構(gòu)固定裝配，令內(nèi)、外層石英管之間相互隔絕；射頻加熱組件，其包括：保溫件、加熱件及加熱驅(qū)動件，其中，加熱件與內(nèi)層石英管外壁形成間隙；密封結(jié)構(gòu)中設有數(shù)個連通環(huán)形空腔的氣孔；內(nèi)層石英管兩端分別安裝有進氣端部件及出氣端部件，該進氣端部件及出氣端部件分別設有連通內(nèi)層石英管內(nèi)腔的第二進氣口及第二出氣口。本發(fā)明具有簡易、靈活、多用、壓力調(diào)節(jié)范圍寬、易于控制、有較高氧化溫度等諸多優(yōu)點。

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