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溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201110027235.6
  • IPC分類號(hào)：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336
  • 申請(qǐng)日期：
    2011-01-26
  • 申請(qǐng)人：
    成都瑞芯電子有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201110027235.6申請(qǐng)日期2011-01-26
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開/公告日2011-06-29公開/公告號(hào)CN102110717A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無
主分類號(hào)H01L29/78
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號(hào)H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分類表>
申請(qǐng)人成都瑞芯電子有限公司申請(qǐng)人地址
四川省成都市高新區(qū)世紀(jì)城南路216號(hào)天府軟件園D區(qū)6號(hào)樓14層 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人成都瑞芯電子有限公司當(dāng)前權(quán)利人成都瑞芯電子有限公司
發(fā)明人王新;朱懷宇
代理機(jī)構(gòu)成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙）代理人梁田
摘要
本發(fā)明公開了一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括N+襯底層、N-外延層、柵氧化層、硼磷硅玻璃層、金屬層、以及背面金屬層，N-外延層上端面設(shè)置有環(huán)狀的場(chǎng)氧化層，N-外延層設(shè)有溝槽，該溝槽內(nèi)填充有摻雜的多晶硅層，N-外延層包括源區(qū)層和設(shè)置在源區(qū)層下端面的P_body層；本發(fā)明還包括源電極接觸孔和柵電極接觸孔，源電極接觸孔和柵電極接觸孔均由金屬層填充，且源電極接觸孔端的金屬層和柵電極接觸孔端的金屬層通過一道開口分隔開。本發(fā)還公開了上述溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法。采用上述結(jié)構(gòu)和制造方法，節(jié)約制造成本。

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