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高壓晶體管和存儲器的形成方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN200710126599.3
IPC分類號：H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247
申請日期：
2007-06-22
申請人：
中芯國際集成電路制造（上海）有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	高壓晶體管和存儲器的形成方法
申請?zhí)?/td>	CN200710126599.3	申請日期	2007-06-22
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2008-06-11	公開/公告號	CN101197263
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L21/28 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕 H01L21/02 半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一個躍變勢壘或表面勢壘的器件，例如PN結(jié)、耗盡層、載體集結(jié)層〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有雜質(zhì)的AⅢBⅤ族化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如摻雜材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各組不包含的方法或設(shè)備在半導(dǎo)體材料上制造電極的〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分類表>
申請人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司	申請人地址	上海市浦東新區(qū)張江路18號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
發(fā)明人	王友臻;洪中山;宋建鵬;金賢在
代理機(jī)構(gòu)	北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	逯長明

摘要

一種柵極形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底形成有第一氧化硅層、第一多晶硅層和層間介質(zhì)層；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二多晶硅層；去除第二多晶硅層；形成柵極。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種高壓晶體管的形成方法和一種存儲器的形成方法，本發(fā)明通過先去除形成在半導(dǎo)體襯底上第一多晶硅層和層間介質(zhì)層上的第二多晶硅層，然后定義刻蝕第一多晶硅層和層間介質(zhì)層形成柵極，避免了去除第二多晶硅層不干凈的造成殘留問題，防止了由于第二多晶硅殘留問題使得高壓晶體管產(chǎn)生泄漏電流。

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