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AlGaInP基發(fā)光二極管芯片及其制造方法

發(fā)明專利有效專利

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CN202010303398.1
IPC分類號：H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00
申請日期：
2020-04-17
申請人：
華燦光電（蘇州）有限公司

基礎(chǔ)信息

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說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	AlGaInP基發(fā)光二極管芯片及其制造方法
申請?zhí)?/td>	CN202010303398.1	申請日期	2020-04-17
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	中國
公開/公告日	2020-09-04	公開/公告號	CN111628058A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L33/22 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L33/00 至少有一個電位躍變勢壘或表面勢壘的專門適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件（H01L 51/00優(yōu)先；由在一個公共襯底中或其上形成有多個半導(dǎo)體組件并包括具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，專門適用于光發(fā)射的器件入H01L 27/15；半導(dǎo)體激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半導(dǎo)體為特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形狀，例如彎曲或截斷的襯底〔2010.01〕 H01L33/22 粗糙表面，例如在外延層之間的界面〔2010.01〕	IPC分類號	H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分類表>
申請人	華燦光電（蘇州）有限公司	申請人地址	江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)晨豐公路變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	華燦光電（蘇州）有限公司	當前權(quán)利人	華燦光電（蘇州）有限公司
發(fā)明人	肖和平;朱迪;郭磊;葛丁壹;常遠
代理機構(gòu)	北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司	代理人	呂耀萍

摘要

本公開提供了一種AlGaInP基發(fā)光二極管芯片及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述AlGaInP基發(fā)光二極管芯片還包括設(shè)置在所述藍寶石襯底和所述外延層之間的粗化鍵合層、以及設(shè)置在所述藍寶石襯底和所述粗化鍵合層之間的復(fù)合鍵合層，所述復(fù)合鍵合層為Al2O3/Si3N4/SiO2復(fù)合層，所述粗化鍵合層為P型Gap層，所述粗化鍵合層的與所述復(fù)合鍵合層接觸的一面上形成有粗化結(jié)構(gòu)。該AlGaInP基發(fā)光二極管芯片可以提高藍寶石襯底與外延層之間的鍵合良率。

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