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CZT晶體及其后處理方法、CZT晶片、核輻射探測(cè)器件及其制備方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN202110307620.X
  • IPC分類號(hào)：C30B29/46;C30B11/00;C30B33/02;C30B33/00
  • 申請(qǐng)日期：
    2021-03-23
  • 申請(qǐng)人：
    中廣核工程有限公司;深圳中廣核工程設(shè)計(jì)有限公司;上海大學(xué)
著錄項(xiàng)信息
專利名稱CZT晶體及其后處理方法、CZT晶片、核輻射探測(cè)器件及其制備方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN202110307620.X申請(qǐng)日期2021-03-23
法律狀態(tài)實(shí)質(zhì)審查申報(bào)國(guó)家暫無(wú)
公開/公告日2021-07-23公開/公告號(hào)CN113151901A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)C30B29/46IPC分類號(hào)C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0查看分類表>
申請(qǐng)人中廣核工程有限公司;深圳中廣核工程設(shè)計(jì)有限公司;上海大學(xué)申請(qǐng)人地址
廣東省深圳市大鵬新區(qū)鵬飛路大亞灣核電基地工程公司辦公大樓 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人中廣核工程有限公司,深圳中廣核工程設(shè)計(jì)有限公司,上海大學(xué)當(dāng)前權(quán)利人中廣核工程有限公司,深圳中廣核工程設(shè)計(jì)有限公司,上海大學(xué)
發(fā)明人田亞杰;閔嘉華;王坤元;王林軍;張繼軍;李磊;劉洪濤
代理機(jī)構(gòu)廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司代理人陳春渠
摘要
本發(fā)明涉及一種CZT晶體及其后處理方法、CZT晶片、核輻射探測(cè)器件及其制備方法。上述CZT晶體的后處理方法，包括如下步驟：采用移動(dòng)加熱器法生長(zhǎng)CZT晶體；將CZT晶體先在870℃～930℃下進(jìn)行原位退火處理50h～70h，然后在50h～80h內(nèi)將溫度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保溫40h～50h。上述CZT晶體的后處理方法利用熱遷移機(jī)制消除熱應(yīng)力、減少Te夾雜和Te沉淀，獲得的CZT晶體質(zhì)量高、Te夾雜等相關(guān)缺陷密度減小，最終提高CZT晶體用于探測(cè)器時(shí)的光電性能。

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