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*來源于國家知識產(chǎn)權(quán)局數(shù)據(jù)，僅供參考，實際以國家知識產(chǎn)權(quán)局展示為準

金屬柵MOS晶體管

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201910808495.3
IPC分類號：H01L29/49;H01L29/78
申請日期：
2019-08-29
申請人：
上海華力集成電路制造有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	金屬柵MOS晶體管
申請?zhí)?/td>	CN201910808495.3	申請日期	2019-08-29
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	中國
公開/公告日	2019-11-12	公開/公告號	CN110444593A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L29/49 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L29/00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05優(yōu)先；除半導(dǎo)體或其電極之外的零部件入H01L 23/00；由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其電極特征區(qū)分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料為特征的〔6〕 H01L29/49 金屬絕緣體半導(dǎo)體電極〔6〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分類表>
申請人	上海華力集成電路制造有限公司	申請人地址	上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)康橋東路298號1幢1060室變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	上海華力集成電路制造有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	上海華力集成電路制造有限公司
發(fā)明人	翁文寅
代理機構(gòu)	上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	郭四華

摘要

本發(fā)明公開了一種金屬柵MOS晶體管，包括：柵極結(jié)構(gòu)、溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)。柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和金屬柵；柵介質(zhì)層形成在半導(dǎo)體襯底表面，被柵極結(jié)構(gòu)所覆蓋的半導(dǎo)體襯底組成溝道區(qū)；短溝道效應(yīng)抑制結(jié)構(gòu)設(shè)置在柵極結(jié)構(gòu)中同時避免在溝道區(qū)中設(shè)置短溝道效應(yīng)抑制結(jié)構(gòu)；在柵介質(zhì)層和所述金屬柵之間設(shè)置有功函數(shù)層，短溝道效應(yīng)抑制結(jié)構(gòu)作為功函數(shù)層的一部分疊加在功函數(shù)層中，短溝道效應(yīng)抑制結(jié)構(gòu)使金屬柵MOS晶體管的閾值電壓增加且閾值電壓增加值用以抵消溝道區(qū)的長度縮短所造成的閾值電壓的減少量。本發(fā)明能抑制器件的短溝道效應(yīng)，同時不會降低溝道載流子的遷移率，能提高器件的性能。

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