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改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結(jié)構(gòu)

發(fā)明專利無效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN200410101891.6
IPC分類號：H01L29/812;H01L21/338
申請日期：
2004-12-30
申請人：
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

基礎(chǔ)信息

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項信息

專利名稱	改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結(jié)構(gòu)
申請?zhí)?/td>	CN200410101891.6	申請日期	2004-12-30
法律狀態(tài)	權(quán)利終止	申報國家	中國
公開/公告日	2006-07-05	公開/公告號	CN1797787
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L29/812 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L29/00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05優(yōu)先；除半導(dǎo)體或其電極之外的零部件入H01L 23/00；由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的〔2〕 H01L29/68 只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的（H01L 29/96優(yōu)先）〔2〕 H01L29/76 單極器件〔2〕 H01L29/772 場效應(yīng)晶體管〔6〕 H01L29/80 由PN結(jié)或其他整流結(jié)柵產(chǎn)生場效應(yīng)的〔2〕 H01L29/812 帶有肖特基柵的〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;9;/;8;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;8查看分類表>
申請人	中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所	申請人地址	北京市海淀區(qū)清華東路甲35號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所	當(dāng)前權(quán)利人	中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
發(fā)明人	王曉亮;王翠梅;胡國新;王軍喜;李建平;曾一平;李晉閩
代理機構(gòu)	中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司	代理人	湯保平

摘要

一種改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結(jié)構(gòu)，包括：一藍(lán)寶石襯底或碳化硅襯底或硅襯底；一高阻氮化鎵緩沖層，該高阻氮化鎵緩沖層制作在襯底上；一薄層非故意摻雜鋁鎵氮插入層，該非故意摻雜鋁鎵氮插入層制作在高阻氮化鎵緩沖層上；一高遷移率氮化鎵溝道層，該高遷移率氮化鎵溝道層制作在非故意摻雜鋁鎵氮插入層上；一非故意摻雜鋁鎵氮空間隔離層，該非故意摻雜鋁鎵氮空間隔離層制作在高遷移率氮化鎵溝道層上；一n型摻雜鋁鎵氮載流子供給層，該n型摻雜鋁鎵氮載流子供給層制作在非故意摻雜鋁鎵氮空間隔離層上；一非故意摻雜鋁鎵氮蓋帽層，該非故意摻雜鋁鎵氮蓋帽層制作在n型摻雜鋁鎵氮載流子供給層上。

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