首頁專利查詢專利詳情

*來源于國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局?jǐn)?shù)據(jù)，僅供參考，實(shí)際以國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局展示為準(zhǔn)

半導(dǎo)體器件的制造方法

發(fā)明專利有效專利

申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
CN202110939157.0
IPC分類號(hào)：H01L21/28;H01L49/02
申請(qǐng)日期：
2021-08-16
申請(qǐng)人：
武漢新芯集成電路制造有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

PDF全文

法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	半導(dǎo)體器件的制造方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>	CN202110939157.0	申請(qǐng)日期	2021-08-16
法律狀態(tài)	公開	申報(bào)國家	中國
公開/公告日	2021-11-19	公開/公告號(hào)	CN113675077A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號(hào)	暫無
主分類號(hào)	H01L21/28 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕 H01L21/02 半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一個(gè)躍變勢壘或表面勢壘的器件，例如PN結(jié)、耗盡層、載體集結(jié)層〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有雜質(zhì)的AⅢBⅤ族化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如摻雜材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各組不包含的方法或設(shè)備在半導(dǎo)體材料上制造電極的〔2〕	IPC分類號(hào)	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分類表>
申請(qǐng)人	武漢新芯集成電路制造有限公司	申請(qǐng)人地址	湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號(hào) 變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人	武漢新芯集成電路制造有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	武漢新芯集成電路制造有限公司
發(fā)明人	耿武千;曹開瑋;王同信;薛廣杰
代理機(jī)構(gòu)	上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙）	代理人	田婷

摘要

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供一襯底，包括第一圖形區(qū)和第二圖形區(qū)，所述襯底上覆蓋有膜層結(jié)構(gòu)，且所述第二圖形區(qū)上的膜層結(jié)構(gòu)中形成有凹陷，所述凹陷的深度超出預(yù)設(shè)規(guī)格；形成阻擋層覆蓋所述凹陷，所述阻擋層的頂表面低于所述凹陷以外的膜層結(jié)構(gòu)的頂表面；以及，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨所述凹陷以外的膜層結(jié)構(gòu)和所述凹陷表面的阻擋層，且對(duì)所述膜層結(jié)構(gòu)的研磨速率大于對(duì)所述阻擋層的研磨速率，以使得研磨后的所述第一圖形區(qū)和所述第二圖形區(qū)上的膜層結(jié)構(gòu)表面的高度差在預(yù)設(shè)規(guī)格內(nèi)。本發(fā)明能夠提高化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的不同密度圖形表面的平整性，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的性能。

我瀏覽過的專利

專利服務(wù)由北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理公司提供