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容易控制數(shù)據(jù)寫入電流的薄膜磁性體存儲器

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN01122086.4
  • IPC分類號：--
  • 申請日期：
    2001-05-21
  • 申請人：
    三菱電機(jī)株式會社
著錄項信息
專利名稱容易控制數(shù)據(jù)寫入電流的薄膜磁性體存儲器
申請?zhí)?/td>CN01122086.4申請日期2001-05-21
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報國家中國
公開/公告日2002-05-15公開/公告號CN1349226
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號暫無IPC分類號暫無查看分類表>
申請人三菱電機(jī)株式會社申請人地址
日本神奈川縣川崎市 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人瑞薩電子株式會社當(dāng)前權(quán)利人瑞薩電子株式會社
發(fā)明人日高秀人
代理機(jī)構(gòu)中國專利代理（香港）有限公司代理人楊凱;張志醒
摘要
與MTJ存儲單元的各列對應(yīng)地配置折疊型位線對。形成位線對的2條位線(BL，/BL)通過列選擇門(CSG1～CSGm)分別與形成數(shù)據(jù)I/O線對DI/OP的2條數(shù)據(jù)線(IO，/IO)連接。在數(shù)據(jù)寫入時，與各位線對對應(yīng)地配置的均衡化晶體管(62)導(dǎo)通。數(shù)據(jù)寫入電流控制電路(51)將2條數(shù)據(jù)線(IO，I/O)分別設(shè)定在高電位狀態(tài)(Vcc)或低電位狀態(tài)(Vss)，故可以根據(jù)寫入數(shù)據(jù)的電平簡單地控制作為為往復(fù)電流流過位線對的數(shù)據(jù)寫入電流的方向。

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