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一種基于聚噻吩的電池型電化學突觸晶體管及其制備方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN202110682099.8
  • IPC分類號:H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;G06N3/06
  • 申請日期:
    2021-06-19
  • 申請人:
    西北工業(yè)大學
著錄項信息
專利名稱一種基于聚噻吩的電池型電化學突觸晶體管及其制備方法
申請?zhí)?/td>CN202110682099.8申請日期2021-06-19
法律狀態(tài)實質(zhì)審查申報國家中國
公開/公告日2021-09-17公開/公告號CN113410383A
優(yōu)先權暫無優(yōu)先權號暫無
主分類號H01L51/05IPC分類號H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;G;0;6;N;3;/;0;6查看分類表>
申請人西北工業(yè)大學申請人地址
陜西省西安市友誼西路127號 變更 專利地址、主體等相關變化,請及時變更,防止失效
權利人西北工業(yè)大學當前權利人西北工業(yè)大學
發(fā)明人林宗瓊;張曉;翁潔娜;鄭昊;楊波;傅莉;黃維
代理機構西北工業(yè)大學專利中心代理人劉新瓊
摘要
本發(fā)明涉及一種基于聚噻吩的電池型電化學突觸晶體管及其制備方法,屬于有機半導體材料及器件技術領域。所述電池型電化學晶體管是以電化學晶體管及其雙電層效應為基礎,結合雙離子電池的可逆氧化還原機理,以神經(jīng)生物學中經(jīng)典的Hodgkin?Huxley模型為指導,在傳統(tǒng)P型電化學晶體管基礎上引入了N型聚合物半導體層,從而極大地穩(wěn)定了P型聚合物中陰離子的摻雜濃度,同時也成功解決了由于載流子復合帶來的導電態(tài)不穩(wěn)定等諸多問題。該電池型器件在實現(xiàn)了穩(wěn)定的陰/陽離子存儲界面構筑的同時,陽離子存儲層/電解質(zhì)層/陰離子存儲層分別對生物突觸的三部分——突觸前神經(jīng)元/突觸間隙/突觸后神經(jīng)元實現(xiàn)了深度模擬。

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