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半導體裝置以及其制作方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201810035934.7
IPC分類號：H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768
申請日期：
2018-01-15
申請人：
聯(lián)華電子股份有限公司

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	半導體裝置以及其制作方法
申請?zhí)?/td>	CN201810035934.7	申請日期	2018-01-15
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	中國
公開/公告日	2019-07-23	公開/公告號	CN110047926A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L29/78 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L29/00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05優(yōu)先；除半導體或其電極之外的零部件入H01L 23/00；由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半導體器件的類型區(qū)分的〔2〕 H01L29/68 只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的（H01L 29/96優(yōu)先）〔2〕 H01L29/76 單極器件〔2〕 H01L29/772 場效應晶體管〔6〕 H01L29/78 由絕緣柵產(chǎn)生場效應的〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分類表>
申請人	聯(lián)華電子股份有限公司	申請人地址	中國臺灣新竹市變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	聯(lián)華電子股份有限公司	當前權(quán)利人	聯(lián)華電子股份有限公司
發(fā)明人	丁煦;林猷穎;陳彥興;陳俊仁;游峻偉;林耿任;王俞仁
代理機構(gòu)	北京市柳沈律師事務所	代理人	陳小雯

摘要

本發(fā)明公開一種半導體裝置以及其制作方法。半導體裝置包括半導體基底、隔離結(jié)構(gòu)、包覆層與柵極結(jié)構(gòu)。半導體基底包括多個鰭狀結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于多個鰭狀結(jié)構(gòu)之間。各鰭狀結(jié)構(gòu)包括第一部分與第二部分。第一部分設(shè)置于隔離結(jié)構(gòu)的上表面之上。第二部分設(shè)置于第一部分上。第二部分的寬度小于第一部分的寬度。包覆層設(shè)置于各鰭狀結(jié)構(gòu)的第一部分與第二部分上，且包覆層具有一曲面。柵極結(jié)構(gòu)跨設(shè)于多個鰭狀結(jié)構(gòu)上。

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