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一種銅互連結構及其制作方法

發(fā)明專利有效專利

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CN202010746391.7
IPC分類號：H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
申請日期：
2020-07-29
申請人：
復旦大學;上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司

基礎信息

權利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	一種銅互連結構及其制作方法
申請?zhí)?/td>	CN202010746391.7	申請日期	2020-07-29
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	中國
公開/公告日	2020-12-01	公開/公告號	CN112018078A
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L23/528 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L23/00 半導體或其他固態(tài)器件的零部件（H01L 25/00優(yōu)先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在處于工作中的器件內(nèi)部從一個組件向另一個組件通電的裝置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半導體本體上的多層導電的和絕緣的結構的外引互連裝置的〔5〕 H01L23/528 互連結構的布置〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分類表>
申請人	復旦大學;上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司	申請人地址	上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	復旦大學,上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司	當前權利人	復旦大學,上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
發(fā)明人	朱寶;陳琳;孫清清;張衛(wèi)
代理機構	北京得信知識產(chǎn)權代理有限公司	代理人	暫無

摘要

本發(fā)明公開一種銅互連結構及其制作方法。該銅互連結構包括第一溝槽，形成在絕緣介質(zhì)(200)內(nèi)，所述第一溝槽內(nèi)填充有第一層銅互連線(201)；通孔和第二溝槽，形成在所述介質(zhì)層(209)中且垂直相連通，其中，所述通孔內(nèi)部填充有銅材料(204)；所述第二溝槽底部形成有籽晶層(205)，內(nèi)部填充有第二層銅互連線(207)；銅擴散阻擋層(208)，覆蓋所述第一層銅互連線(201)表面和所述絕緣介質(zhì)(200)表面，同時包覆所述通孔和所述第二溝槽的側壁表面以及所述第二溝槽的下表面；銅擴散覆蓋層(210)，形成在上述結構的上表面。

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