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一種控制單晶高溫合金再結(jié)晶的方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN202010440119.6
  • IPC分類號：C30B11/00;C30B29/52;C30B33/02;C30B33/10;C23F1/28;C22F1/10;C22F1/02;B23P15/00;B24B29/02
  • 申請日期：
    2020-05-22
  • 申請人：
    深圳市萬澤航空科技有限責(zé)任公司;深圳市萬澤中南研究院有限公司;深汕特別合作區(qū)萬澤精密鑄造科技有限公司
著錄項信息
專利名稱一種控制單晶高溫合金再結(jié)晶的方法
申請?zhí)?/td>CN202010440119.6申請日期2020-05-22
法律狀態(tài)暫無申報國家中國
公開/公告日2020-08-28公開/公告號CN111593399A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號C30B11/00IPC分類號C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;5;2;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;3;3;/;1;0;;;C;2;3;F;1;/;2;8;;;C;2;2;F;1;/;1;0;;;C;2;2;F;1;/;0;2;;;B;2;3;P;1;5;/;0;0;;;B;2;4;B;2;9;/;0;2查看分類表>
申請人深圳市萬澤航空科技有限責(zé)任公司;深圳市萬澤中南研究院有限公司;深汕特別合作區(qū)萬澤精密鑄造科技有限公司申請人地址
廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福田保稅區(qū)銘可達(dá)大廈一樓東區(qū) 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人深圳市萬澤航空科技有限責(zé)任公司,深圳市萬澤中南研究院有限公司,深圳市深汕特別合作區(qū)萬澤精密科技有限公司當(dāng)前權(quán)利人深圳市萬澤航空科技有限責(zé)任公司,深圳市萬澤中南研究院有限公司,深圳市深汕特別合作區(qū)萬澤精密科技有限公司
發(fā)明人徐福澤;馬德新;龔曉毅;李博延;陳鵬;陶華林;崔樹森
代理機構(gòu)深圳市華優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙）代理人暫無
摘要
本發(fā)明公開了一種控制單晶高溫合金再結(jié)晶的方法，所述方法包括步驟S1，通過定向凝固澆鑄并去除表面型殼后獲得單晶高溫合金鑄件；S2，對所述單晶高溫合金鑄件進行電火花放電加工并清洗；S3，對所述單晶高溫合金鑄件進行拋修并清洗；S4，對所述單晶高溫合金鑄件進行固溶熱處理；S5，對所述單晶高溫合金鑄件固溶后進行腐蝕和微觀組織分析。本發(fā)明能有效的控制單晶高溫合金鑄件的再結(jié)晶的產(chǎn)生，保證了單晶高溫合金鑄件尤其是葉片鑄件的性能，并提高單晶高溫合金鑄件的使用壽命。

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