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半導(dǎo)體開關(guān)器件及過電流切斷方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN01138402.6
  • IPC分類號：--
  • 申請日期：
    2001-07-24
  • 申請人：
    矢崎總業(yè)株式會社
著錄項(xiàng)信息
專利名稱半導(dǎo)體開關(guān)器件及過電流切斷方法
申請?zhí)?/td>CN01138402.6申請日期2001-07-24
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報國家中國
公開/公告日2002-05-15公開/公告號CN1349307
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號暫無IPC分類號暫無查看分類表>
申請人矢崎總業(yè)株式會社申請人地址
日本東京 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人矢崎總業(yè)株式會社當(dāng)前權(quán)利人矢崎總業(yè)株式會社
發(fā)明人大島俊藏
代理機(jī)構(gòu)中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所代理人王永剛
摘要
包括穩(wěn)態(tài)分量電流(Irefc)和瞬態(tài)分量電流(Ireft)的基準(zhǔn)電流(Iref)被饋送給基準(zhǔn)FET(QB)，從而使當(dāng)流經(jīng)主FET(QA)的負(fù)載電流(ID)不位于包含瞬態(tài)分量的過電流范圍內(nèi)時，所述主FET(QA)的源極電位(VSA)不低于所述基準(zhǔn)FET(QB)的源極電位(VSB)。通過檢測所述主FET(QA)源極電位(VSA)低于所述基準(zhǔn)FET的源極電位(VSB)使所述基準(zhǔn)電流(Iref)振動。振動次數(shù)被計(jì)數(shù)為預(yù)定次數(shù)，借此使所述主FET(QA)截止。

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