航.png/origine/0f6a94b4-6a53-4b94-aaeb-4bb81abe869d)
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合成寬或雙峰分子量分布聚烯烴催化劑及其制備方法發(fā)明專利
申請?zhí)枺篊N200910243765.7
LOC分類號:C08F10/00
IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
- H電學(xué)
- H9電學(xué)
- H01基本電氣元件
- H01L半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕
- H01L21/00專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕
- H01L21/02半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理〔2，8〕
- H01L21/04至少具有一個躍變勢壘或表面勢壘的器件，例如PN結(jié)、耗盡層、載體集結(jié)層〔2〕
- H01L21/18器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有雜質(zhì)的AⅢBⅤ族化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如摻雜材料〔2，6，7〕
- H01L21/30用H01L 21/20至H01L 21/26各組不包含的方法或設(shè)備處理半導(dǎo)體材料的（在半導(dǎo)體材料上制作電極的入H01L 21/28）〔2〕
- H01L21/302改變半導(dǎo)體材料的表面物理特性或形狀的，例如腐蝕、拋光、切割〔2〕
- H01L21/306化學(xué)或電處理，例如電解腐蝕（形成絕緣層的入H01L 21/31；絕緣層的后處理入H01L 21/3105）〔2〕
- H01L21/3065等離子腐蝕；活性離子腐蝕〔6〕
