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*來源于國家知識產(chǎn)權局數(shù)據(jù)，僅供參考，實際以國家知識產(chǎn)權局展示為準

一種LED基板

實用新型專利無效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201120446422.3
IPC分類號：H01L33/64;H01L33/48
申請日期：
2011-11-10
申請人：
深圳晶藍德燈飾有限公司

基礎信息

權利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	一種LED基板
申請?zhí)?/td>	CN201120446422.3	申請日期	2011-11-10
法律狀態(tài)	權利終止	申報國家	中國
公開/公告日		公開/公告號
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L33/64 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L33/00 至少有一個電位躍變勢壘或表面勢壘的專門適用于光發(fā)射的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或設備；這些半導體器件的零部件（H01L 51/00優(yōu)先；由在一個公共襯底中或其上形成有多個半導體組件并包括具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，專門適用于光發(fā)射的器件入H01L 27/15；半導體激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半導體封裝體為特征的〔2010.01〕 H01L33/64 熱吸收或冷卻元件〔2010.01〕	IPC分類號	H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分類表>
申請人	深圳晶藍德燈飾有限公司	申請人地址	廣東省深圳市寶安區(qū)石巖鎮(zhèn)麻布新村自力大道30號變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	深圳晶藍德燈飾有限公司	當前權利人	深圳晶藍德燈飾有限公司
發(fā)明人	劉世全
代理機構	暫無	代理人	暫無

摘要

本實用新型公布了一種LED基板，其主要包括若干個LED芯片、基板和絕緣擋圈；其特征在于：在基板上開槽，并在槽的底部電一層銀，然后將若干個LED芯片通過電氣連接邦定在銀層表面上，再在LED芯片上面整體灌封灌封膠或者熒光粉與灌封膠的混合膠。本實用新型可以使LED芯片發(fā)光所產(chǎn)生的熱量迅速通過基板散發(fā)出去，增強了產(chǎn)品的可靠性，減少了光衰，延長了產(chǎn)品的使用壽命；在槽底部鍍一層銀，增加反光效果，提高LED的發(fā)光效率；其生產(chǎn)工藝簡單，具有廣闊的應用前景。

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