- C化學(xué);冶金
- C2冶金
- C30晶體生長(zhǎng)〔3〕
- C30B單晶生長(zhǎng)(用超高壓的,例如用于金剛石形成的入B01J 3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分層;材料的區(qū)熔精煉(金屬或合金的區(qū)熔精煉入C22B);具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料的制備(金屬鑄造,按同樣工藝或裝置的其他物質(zhì)鑄造入B22D;塑料的加工入B29;改變金屬或合金的物理結(jié)構(gòu)入C21D、C22F);單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料;單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料之后處理(用于半導(dǎo)體器件或元件生產(chǎn)的入H01L);其所用的裝置〔3〕
- C30B15/00熔融液提拉法的單晶生長(zhǎng),例如Czochralski法(在保護(hù)流體下的入C30B 27/00)〔3〕