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存儲(chǔ)電路和用于將電源應(yīng)用到存儲(chǔ)電路的方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN200810096656.2
  • IPC分類號(hào)：G11C11/413;G11C5/14
  • 申請(qǐng)日期：
    2008-02-15
  • 申請(qǐng)人：
    意法半導(dǎo)體公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱存儲(chǔ)電路和用于將電源應(yīng)用到存儲(chǔ)電路的方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN200810096656.2申請(qǐng)日期2008-02-15
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國家中國
公開/公告日2008-11-12公開/公告號(hào)CN101303888
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無
主分類號(hào)G11C11/413IPC分類號(hào)G;1;1;C;1;1;/;4;1;3;;;G;1;1;C;5;/;1;4查看分類表>
申請(qǐng)人意法半導(dǎo)體公司申請(qǐng)人地址
美國德克薩斯州 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人意法半導(dǎo)體公司當(dāng)前權(quán)利人意法半導(dǎo)體公司
發(fā)明人M·A·利辛格;D·麥克盧爾;F·雅凱
代理機(jī)構(gòu)中國專利代理（香港）有限公司代理人劉杰;陳景峻
摘要
本發(fā)明涉及具有電壓的可轉(zhuǎn)換電源組的SRAM。一種電路，包括具有高電源電壓節(jié)點(diǎn)和低電源電壓節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)單元。依賴于該存儲(chǔ)單元的電流操作模式，電源多路復(fù)用電路被提供用于可選擇地將第一組電壓和第二組電壓之一應(yīng)用到該存儲(chǔ)單元的該高和低電源電壓節(jié)點(diǎn)。更特別的是，該第二組電壓中的低電壓高于該第一組電壓中的低電壓，并且其中該第二組電壓中的高電壓小于該第一組電壓中的高電壓。該存儲(chǔ)單元可以是存儲(chǔ)單元陣列中的一員。該陣列可以包括位于存儲(chǔ)器設(shè)備之內(nèi)的區(qū)塊或節(jié)，該存儲(chǔ)器設(shè)備包括多個(gè)區(qū)塊或節(jié)，在這種情況下，將電壓應(yīng)用到單獨(dú)的區(qū)塊/節(jié)上的該可選擇應(yīng)用依賴于該區(qū)塊/節(jié)自身的該激活/待機(jī)模式。

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