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半導(dǎo)體裝置以及相關(guān)聯(lián)的方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201610685412.2
  • IPC分類號：H03K17/687
  • 申請日期：
    2016-08-18
  • 申請人：
    耐智亞有限公司
著錄項信息
專利名稱半導(dǎo)體裝置以及相關(guān)聯(lián)的方法
申請?zhí)?/td>CN201610685412.2申請日期2016-08-18
法律狀態(tài)實質(zhì)審查申報國家中國
公開/公告日2017-04-19公開/公告號CN106571799A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號H03K17/687IPC分類號H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分類表>
申請人耐智亞有限公司申請人地址
荷蘭奈梅亨 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人安世有限公司當(dāng)前權(quán)利人安世有限公司
發(fā)明人馬塞厄斯·羅斯;簡·雄斯基
代理機(jī)構(gòu)中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司代理人倪斌
摘要
半導(dǎo)體裝置(200)包括：管芯源極端(222)、管芯漏極端(224)和管芯柵極端(226)；半導(dǎo)體管芯(202)；提供于該半導(dǎo)體管芯上的絕緣柵極耗盡型晶體管(203)，該絕緣柵極耗盡型晶體管包括耗盡源極端(204)、耗盡漏極端(206)和耗盡柵極端(208)，其中該耗盡漏極端耦合到該管芯漏極端且該耗盡柵極端耦合到該管芯源極端；增強(qiáng)型晶體管(213)，該增強(qiáng)型晶體管(213)包括增強(qiáng)源極端(214)、增強(qiáng)漏極端(216)和增強(qiáng)柵極端(218)，其中該增強(qiáng)源極端耦合到該管芯源極端，該增強(qiáng)柵極端耦合到該管芯柵極端并且該增強(qiáng)漏極端耦合到該耗盡源極端；以及箝位電路(230)，該箝位電路(230)耦合在該耗盡源極端與該耗盡柵極端之間。

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