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雙向可控硅制造中的真空燒結(jié)方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN200910033280.5
IPC分類號：H01L21/332;H01L21/48
申請日期：
2009-06-17
申請人：
無錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	雙向可控硅制造中的真空燒結(jié)方法
申請?zhí)?/td>	CN200910033280.5	申請日期	2009-06-17
法律狀態(tài)	暫無	申報(bào)國家	中國
公開/公告日	2009-12-16	公開/公告號	CN101604633
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L21/332 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕 H01L21/02 半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一個躍變勢壘或表面勢壘的器件，例如PN結(jié)、耗盡層、載體集結(jié)層〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有雜質(zhì)的AⅢBⅤ族化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如摻雜材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造雙極型器件，例如二極管、晶體管、晶閘管的臺階式工藝〔5〕 H01L21/33 包括3個或更多電極的器件〔5〕 H01L21/332 晶閘管〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;1;/;3;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分類表>
申請人	無錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司	申請人地址	江蘇省無錫市新吳區(qū)碩放中通東路88號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	江蘇東海半導(dǎo)體科技有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	江蘇東海半導(dǎo)體科技有限公司
發(fā)明人	趙振華
代理機(jī)構(gòu)	江蘇英特東華律師事務(wù)所	代理人	邵鋆

摘要

雙向可控硅制造中的真空燒結(jié)方法，屬于一種電子元件加工方法，具體步驟是：1，制作真空燒結(jié)爐用模具；2，填料；3，模具疊成模具組；4，模具組入爐；5、將爐子抽真空管，真空度1～5×10-1Pa，時間15～30分鐘；6、燒結(jié)同時抽氣，保證爐內(nèi)負(fù)壓，溫度控制在350℃～400℃之間燒制5～13分鐘；7、冷卻至80℃以下，這種方法克服了真空爐不能用于雙向可控硅焊接的技術(shù)偏見，成本低、效率高，制作的產(chǎn)品質(zhì)量也明顯提高。

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