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柵極及晶體管的制作方法

發(fā)明專利無效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN200710094463.9
  • IPC分類號(hào)：H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/336
  • 申請日期：
    2007-12-13
  • 申請人：
    中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱柵極及晶體管的制作方法
申請?zhí)?/td>CN200710094463.9申請日期2007-12-13
法律狀態(tài)權(quán)利終止申報(bào)國家中國
公開/公告日2009-06-17公開/公告號(hào)CN101459134
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無
主分類號(hào)H01L21/8234
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號(hào)H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分類表>
申請人中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請人地址
上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào) 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人中芯國際集成電路制造（上海）有限公司當(dāng)前權(quán)利人中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
發(fā)明人陳海華;黃怡;張海洋
代理機(jī)構(gòu)北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人李麗
摘要
一種柵極的制作方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介電層和多晶硅層，所述半導(dǎo)體襯底分為器件密集區(qū)和器件非密集區(qū)；刻蝕多晶硅層和柵介電層至露出半導(dǎo)體襯底，形成柵極；刻蝕柵極，使器件密集區(qū)的柵極關(guān)鍵尺寸與器件非密集區(qū)的柵極關(guān)鍵尺寸一致，達(dá)到目標(biāo)尺寸。本發(fā)明還提供一種晶體管的制作方法。使最終器件密集區(qū)的柵極關(guān)鍵尺寸比器件非密集區(qū)的柵極關(guān)鍵尺寸一致，達(dá)到目標(biāo)尺寸。

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