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硅納米線/非晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池

發(fā)明專(zhuān)利無(wú)效專(zhuān)利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN200810084206.1
  • IPC分類(lèi)號(hào)：H01L31/072
  • 申請(qǐng)日期：
    2008-03-26
  • 申請(qǐng)人：
    北京師范大學(xué)
著錄項(xiàng)信息
專(zhuān)利名稱(chēng)硅納米線/非晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN200810084206.1申請(qǐng)日期2008-03-26
法律狀態(tài)撤回申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2008-09-10公開(kāi)/公告號(hào)CN101262024
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類(lèi)號(hào)H01L31/072
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類(lèi)號(hào)H;0;1;L;3;1;/;0;7;2查看分類(lèi)表>
申請(qǐng)人北京師范大學(xué)申請(qǐng)人地址
北京市新街口外大街19號(hào) 變更 專(zhuān)利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人北京師范大學(xué)當(dāng)前權(quán)利人北京師范大學(xué)
發(fā)明人彭奎慶
代理機(jī)構(gòu)暫無(wú)代理人暫無(wú)
摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域的硅納米線陣列太陽(yáng)能電池裝置。其特征在于所述透明氧化銦錫導(dǎo)電薄膜層和P型硅基底層之間含有p型納米硅線/n型非晶硅三維異質(zhì)結(jié)層。所述太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換裝置含有依次相疊的各層為：Ti/Pd/Ag柵形電極，作為正面引出電極；透明ITO導(dǎo)電薄膜層，起透光作用并作為正面引出電極；n型非晶硅位于p型納米硅線之上，與p型納米硅線形成p－n異質(zhì)結(jié)；p型納米硅線位于P型硅基底層之上，與n型非晶硅形成三維p－n異質(zhì)結(jié)。同時(shí)也作為太陽(yáng)電池的減反射層；P型硅基底層，作為太陽(yáng)能電池的基區(qū)；鋁金屬膜背電極，作為背面引出電極。本發(fā)明提供的這種具有新型結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換裝置，光吸收能力強(qiáng)，光電轉(zhuǎn)換效率高。

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