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一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN202010988634.8
  • IPC分類號：H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申請日期：
    2020-09-18
  • 申請人：
    蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司
著錄項信息
專利名稱一種半導(dǎo)體器件及其制造方法
申請?zhí)?/td>CN202010988634.8申請日期2020-09-18
法律狀態(tài)暫無申報國家中國
公開/公告日2020-12-18公開/公告號CN112103352A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號H01L31/0304
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜：
IPC分類號H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;9;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分類表>
申請人蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司申請人地址
江蘇省蘇州市高新區(qū)昆侖山路189號科技城工業(yè)坊-A區(qū)2號廠房-1-102、2號廠房-2-203 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司,蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司,蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司
發(fā)明人王俊;茍于單;程洋;肖嘯;郭銀濤;周立
代理機(jī)構(gòu)北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人劉林濤
摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明公開的半導(dǎo)體器件包括：隧道結(jié)，隧道結(jié)包括p型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層。n型半導(dǎo)體層中摻雜有第一導(dǎo)電離子和第二導(dǎo)電離子，第一導(dǎo)電離子的半徑小于第二導(dǎo)電離子的半徑，第二導(dǎo)電離子的飽和摻雜濃度大于第一導(dǎo)電離子的飽和摻雜濃度。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中n型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電離子的半徑小于第二導(dǎo)電離子的半徑，第二導(dǎo)電離子的飽和摻雜濃度大于第一導(dǎo)電離子的飽和摻雜濃度，采用第一導(dǎo)電離子和第二導(dǎo)電離子共摻雜的方式，可以有效的提高總摻雜濃度，并且不易發(fā)生晶格失配，進(jìn)而可實現(xiàn)較高的隧穿峰值電流，可滿足較高的隧穿電流需求。

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