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晶片的加工方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201510013400.0
IPC分類號：H01L21/78;B28D5/00
申請日期：
2015-01-12
申請人：
株式會社迪思科

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	晶片的加工方法
申請?zhí)?/td>	CN201510013400.0	申請日期	2015-01-12
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2015-07-15	公開/公告號	CN104779204A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L21/78 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L21/00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造（由預(yù)制電組件組成的組裝件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共襯底中或上面形成的由許多固態(tài)元件或集成電路組成的器件的制造或處理（電可編程只讀存儲器或其多步驟的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把襯底連續(xù)地分成多個獨立的器件（改變表面物理特性或者半導(dǎo)體形狀的切割入H01L 21/304）〔2，6〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;B;2;8;D;5;/;0;0查看分類表>
申請人	株式會社迪思科	申請人地址	日本東京都變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	株式會社迪思科	當(dāng)前權(quán)利人	株式會社迪思科
發(fā)明人	廣澤俊一郎
代理機構(gòu)	北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	李輝;黃綸偉

摘要

本發(fā)明提供晶片的加工方法，其不會使抗彎強度惡化并且能夠形成較厚的厚度的芯片。在晶片上設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線，晶片的加工方法的特征在于具備：槽形成步驟，從晶片的正面沿著分割預(yù)定線形成未達到完工厚度的深度的多個槽；保護帶粘貼步驟，在晶片的正面粘貼保護帶；激光加工步驟，將透過晶片的波長的激光束的聚光點定位在晶片內(nèi)部的比完工厚度靠背面?zhèn)鹊奈恢?，朝向晶片的背面沿著分割預(yù)定線照射激光束，在晶片內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的變質(zhì)層，并且形成從變質(zhì)層朝向槽延伸的沿著分割預(yù)定線的裂紋層；和磨削步驟，利用磨削構(gòu)件對晶片的背面進行磨削以使晶片變薄至完工厚度，并且，去除變質(zhì)層，沿著分割預(yù)定線將晶片分割為芯片。

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