一種鹽堿地植物種植系統(tǒng)

1.一種鹽堿地植物種植系統(tǒng)，包括設(shè)置在鹽堿地中的種植溝（6），所述種植溝（6）的內(nèi)部由下向上填充有透氣防滲層（1）和種植土層（5），其特征在于，
所述種植溝（6）的側(cè)壁（7）為防水側(cè)壁；
所述種植溝內(nèi)沿其長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置有若干集水井（9），所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井（9）的底部位于所述種植土層（5）內(nèi)；
所述透氣防滲層（1）和植物種植土層（5）間還設(shè)置有防護(hù)層（4），所述防護(hù)層（4）為透水磚層；
所述透氣防滲層（1）為透氣防滲沙層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述透氣防滲層（1）和所述防護(hù)層（4）之間還設(shè)置有找平層（3）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述種植土層（5）的至少部分底面與水平面形成一夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述種植土層（5）的至少部分底面沿所述種植溝（6）的寬度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成一夾角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述種植溝（6）內(nèi)所述種植土層（5）在其寬度方向上地勢(shì)低的一端設(shè)置有所述集水井（9）。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述種植土層（5）的至少部分底面沿所述種植溝（6）的長(zhǎng)度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成一夾角。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，
所述種植溝（6）的底面、所述透氣防滲層（1）、找平層（3）和/或防護(hù)層（4）平行于所述種植土層（5）的底面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述找平層（3）為細(xì)土和/或沙子層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述種植土層（5）為客土層或鹽堿土層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，其特征在于，所述種植土層（5）的上表面不低于鹽堿地地表面（10）。

一種鹽堿地植物種植系統(tǒng)\n技術(shù)領(lǐng)域\n[0001] 本發(fā)明涉及一種植物種植系統(tǒng)，具體地說，涉及一種適于鹽堿地中植物生長(zhǎng)的種植系統(tǒng)。\n背景技術(shù)\n[0002] 鹽堿地是指土壤含有過量可溶性鹽類的土地，土地鹽堿化的原因是由于土壤和地下水含鹽過高，在強(qiáng)烈的地表蒸發(fā)作用下，地下淺層水經(jīng)毛細(xì)管輸送到地表被蒸發(fā)掉，毛細(xì)管向地表輸水的過程中，也把水中的鹽分帶到地表，水被蒸發(fā)后，土壤鹽分通過毛細(xì)管作用上升并積聚于土壤表層，鹽分就留在了地表及地面淺層土壤中，這樣積累的鹽分多了，又沒有足夠的淡水稀釋并將其排走，就形成了土壤鹽堿化。鹽堿度在0.3%以上、0.8%以下的鹽堿地因?yàn)楹}量大、要么閑置，要么被勉強(qiáng)利用，就是被勉強(qiáng)利用的，其產(chǎn)量也很低，經(jīng)濟(jì)效益不好。\n[0003] 目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)鹽堿地的處理方法一般包括排鹽法和壓鹽法，但它們都存在著許多不足之處，排鹽法是靠使用大量的淡水對(duì)鹽堿地進(jìn)行長(zhǎng)期沖洗而使鹽堿地表面的含鹽量降低，壓鹽法是利用自然降水或人工大水灌溉，促使部分鹽堿沿著土壤的孔隙、裂縫等向下滲透，將表層土壤的鹽分隨水帶至底層。上述方法雖然能夠使鹽堿地表層的含鹽量降低，但不能夠保持長(zhǎng)久，而且需要大量的水源。\n[0004] 為此，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN102232328A公開了一種改良鹽堿地的方法及鹽堿地的種植方法，該方法將鹽堿表層土去除掉，在去除了表層土的鹽堿地上設(shè)置設(shè)置透氣性防滲骨料層，在所述透氣性防滲骨料層上設(shè)置種植土層，然后于種填土層上種植植物。該透氣性防滲骨料層有效的防止了地下 鹽堿水的上竄，但同時(shí)也抑制了種植土層中水份的下滲，在多雨季節(jié)大量的雨水積蓄在種植土層中，容易造成植物的根系腐爛，影響植物的生成。\n發(fā)明內(nèi)容\n[0005] 為解決現(xiàn)有技術(shù)中，雨量充沛時(shí)種植土層中的水無法下滲，造成植物根系腐爛的技術(shù)問題，從而提供一種適于鹽堿地植物長(zhǎng)期生長(zhǎng)的植物種植系統(tǒng)。\n[0006] 為此，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為：\n[0007] 一種鹽堿地植物種植系統(tǒng)，包括設(shè)置在鹽堿地中的種植溝，所述種植溝的內(nèi)部由下向上填充有透氣防滲層和種植土層，所述種植溝的側(cè)壁為防水側(cè)壁；所述種植溝內(nèi)沿其長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內(nèi)。\n[0008] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述透氣防滲層和植物種植土層間還設(shè)置有防護(hù)層。\n[0009] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述透氣防滲層和所述防護(hù)層之間還設(shè)置有找平層。\n[0010] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植土層的至少部分底面與水平面形成一夾角。此處所述種植土層的底面指種植土層與其下方相鄰層相接觸的表面。\n[0011] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植土層的至少部分底面沿所述種植溝的寬度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成一夾角。\n[0012] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植溝內(nèi)所述種植土層在其寬度方向上地勢(shì)低的一端設(shè)置有所述集水井。\n[0013] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植土層的至少部分底面沿所述種植溝的長(zhǎng)度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成一夾角。\n[0014] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植溝的底面、所述透氣防滲層、找平層和/或防護(hù)層平行于所述種植土層與所述防護(hù)層相接觸的底面。\n[0015] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述防護(hù)層為透水磚層。\n[0016] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述找平層為細(xì)土和/或沙子層。\n[0017] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述透氣防滲層為透氣防滲沙層。\n[0018] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植土層為客土層或鹽堿土層。\n[0019] 上述鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植土層的上表面不低于所述鹽堿地的地表面，此處所述種植土層的上表面為種植土層與外界大氣相接觸的表面。\n[0020] 在上述的鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述透水材料是由骨料和親水性骨料粘結(jié)劑粘結(jié)而成的具有微孔的材料，所述骨料為石英砂、硅砂、覆膜砂、陶粒等，所述親水性結(jié)結(jié)劑為環(huán)氧樹脂、聚氨酯和丙烯酸酯中的一種或幾種，所述骨料和親水性骨料粘結(jié)劑的質(zhì)量比為\n100：（1-15）。\n[0021] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：\n[0022] （1）本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述種植溝內(nèi)沿其長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內(nèi)。在雨水充沛季節(jié)，集水井中的水由泵抽出排放到種植溝外，減少了種植溝內(nèi)積存的水份，防止了種植土層水量過多時(shí)植物的爛根，并且還可以用于灌溉其它植物，在雨量較少時(shí)，集水井中的水慢慢滲入種植土層，補(bǔ)充植物生長(zhǎng)所需的水分。\n[0023] （2）本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，種植土層與防護(hù)層相接觸的至少部分底面與水平面形成一夾角。從而使種植土層中的水分順坡度流向由透水材料制成的集水井中，利于種植溝內(nèi)水份的收集。\n[0024] （3）本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)還包括有防護(hù)層，所述防護(hù)層可 以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，從而避免了透氣防滲層被植物的根系破壞進(jìn)而失去防滲效果。\n[0025] （4）本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)中，所述防護(hù)層為透水磚層，所述透水磚層堅(jiān)硬的質(zhì)地不僅可以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，還可以在透水磚中涵養(yǎng)一部分由上層種植土層下滲的水，在外部氣候干旱時(shí)，透水磚的水用于補(bǔ)給植物根系，滿足植物生長(zhǎng)所需的水分。\n[0026] （5）本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)還設(shè)置有找平層，所述找平層為細(xì)土層、沙子層或由細(xì)土和沙子混合形成的層，其作用之一是起到找平的作用，為鋪設(shè)透水磚層做準(zhǔn)備，另外還能儲(chǔ)存少量的水份，在外部氣候干旱時(shí)，儲(chǔ)水層中的水向上蒸發(fā)補(bǔ)給植物根系，滿足植物生長(zhǎng)所需的水分。\n[0027] （6）本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)中種植土層根據(jù)實(shí)際情況可以鋪設(shè)客土層，也可以鋪設(shè)為鹽堿土層，由于透氣防滲層有效阻止了地下鹽堿水的上竄，當(dāng)種植土層為鹽堿土層時(shí)，其上種植吸鹽植物，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)鹽堿土的改良，且減少客土帶來的費(fèi)用，減少土壤資源的浪費(fèi)，成本得到降低；然而直接鋪設(shè)客土層，當(dāng)年就可以看到種植效果，如花卉生長(zhǎng)良好，經(jīng)濟(jì)作物取得收益等。\n[0028] （7）本發(fā)明所述種植系統(tǒng)的長(zhǎng)寬可以根據(jù)實(shí)際情況確定，沒有太多本身因素的限制，操作簡(jiǎn)單靈活；鋪設(shè)的透氣防滲層不被破壞，可以長(zhǎng)期阻隔鹽堿。\n附圖說明\n[0029] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中\(zhòng)n[0030] 圖1為本發(fā)明一種鹽堿地植物種植系統(tǒng)的俯視圖；\n[0031] 圖2為鹽堿地植物種植系統(tǒng)中一種種植溝的垂直于其長(zhǎng)度方向的剖面 示意圖；\n[0032] 圖3為鹽堿地植物種植系統(tǒng)中其中一種種植溝的垂直于其長(zhǎng)度方向的剖面示意圖；\n[0033] 圖4為鹽堿地植物種植系統(tǒng)中其中一種種植溝的垂直于其長(zhǎng)度方向的剖面示意圖；\n[0034] 圖5為鹽堿地植物種植系統(tǒng)中其中一種種植溝的垂直于其長(zhǎng)度方向的剖面示意圖；\n[0035] 圖6為鹽堿地植物種植系統(tǒng)中其中一種種植溝的沿其長(zhǎng)度方向的剖面示意圖。\n[0036] 其中，附圖標(biāo)記表示為：\n[0037] 1-透氣防滲層，3-找平層，4-防護(hù)層，5-種植土層，6-種植溝，7-側(cè)壁，9-集水井，\n10-鹽堿地地表面。\n具體實(shí)施方式\n[0038] 實(shí)施例1\n[0039] 如圖1所示，本發(fā)明的鹽堿地植物種植系統(tǒng)，包括平行設(shè)置在鹽堿地中的間隔1m的6條種植溝6，所述種植溝6的側(cè)壁7為防水側(cè)壁，所述防水側(cè)壁是在挖掘好種植溝6后在其側(cè)壁上貼附塑料布形成，以防止種植溝6外部的鹽堿水由其側(cè)壁7滲入種植溝6。所述種植溝6內(nèi)沿其長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置有3個(gè)集水井9，所述集水井9的井壁由透水材料制成透水井壁，所述集水井9的底部位于所述種植土層5內(nèi)；圖2為本發(fā)明一種種植溝垂直于其長(zhǎng)度方向的剖面示意圖，如圖2所示，所述種植溝6的內(nèi)部由下向上填充有1cm厚的透氣防滲層1、10cm厚的找平層3、8cm厚的防護(hù)層4和至少60cm厚的種植土層5，所述種植土層5的上表面比所述鹽堿地的地表面10高5cm。且所述種植土層5與所述防護(hù)層4相接觸的底面沿所述種植溝 6的寬度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成15℃的夾角，所述集水井9設(shè)置在所述種植土層5在其寬度方向上的地勢(shì)低的一端，所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層\n1、找平層3和防護(hù)層4均平行于所述種植土層5與所述防護(hù)層相接觸的底面。\n[0040] 在本實(shí)施例中，挖掘所述種植溝6時(shí)，使種植溝6的底面沿其寬度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成15℃的夾角，然后在種植溝底面上方依次鋪設(shè)所述透氣防滲層1、找平層3和防護(hù)層4，且保證所述透氣防滲層1、找平層3和防護(hù)層4平行于所述種植溝底面，進(jìn)而確保在鋪設(shè)的種植土層5時(shí)，其底面為傾斜的底面，從而使所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層1、找平層3和防護(hù)層4均平行于所述種植土層5與所述防護(hù)層相接觸的底面。\n[0041] 在本實(shí)施例中，所述防護(hù)層4為由透水磚鋪設(shè)而成的透水磚層，所述透水磚層質(zhì)地堅(jiān)硬可有阻止植物根系向下延伸。所述找平層3為由沙子鋪設(shè)而成的沙子層，所述找平層3除起到找平的作用外，還可以儲(chǔ)存由透水磚層滲入的水份，在外部氣候干燥時(shí)，找平層\n3中的水份向上蒸發(fā)，補(bǔ)充植物生長(zhǎng)所需的水份。在其它實(shí)施例中，所述找平層3可以是由細(xì)土鋪成的細(xì)土層，或由細(xì)土和沙子的混合物鋪設(shè)形成的混合層。所述透氣防滲層1為由透氣防滲沙鋪設(shè)形成的透氣防滲沙層，用以阻止地下鹽堿水的上竄和上層儲(chǔ)存的水份的外滲。所述種植土層5是由客土鋪設(shè)形成的客土層。\n[0042] 實(shí)施例2\n[0043] 如圖3所示，本實(shí)施例中所述種植溝的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中種植溝的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別僅在于，所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層1均平行于水平面，將所述找平層3沿其寬度方向以厚度逐漸遞減的方式鋪設(shè)，使所述找平層3與所述防護(hù)層4相接觸的表面傾斜設(shè)置，所述防護(hù)層5沿所述表面（所述找平層3與所述防護(hù)層4相接觸的表面）平行鋪設(shè)，進(jìn)而使所述種植土層5具有傾斜的底面。\n[0044] 實(shí)施例3\n[0045] 如圖4所示，本實(shí)施例中所述種植溝的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中種植溝的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別僅在于，所述種植土層5設(shè)置成部分傾斜的底面，所述透氣防滲層1、所述找平層3、所述防護(hù)層4在各層地勢(shì)低的一端沿種植溝寬度方向平行于水平面延伸至種植溝的一側(cè)壁，從而將各層分成傾斜部和水平部，所述集水井9位于所述防護(hù)層4的水平部的上方。\n[0046] 實(shí)施例4\n[0047] 如圖5所示，本實(shí)施例中所述種植溝的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中種植溝的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別僅在于，在所述種植溝的寬度方向上，所述種植土層5的底面為V字形，所述透氣防滲層1、所述找平層3、所述防護(hù)層4為V字形，所述集水井9設(shè)置在沿所述種植溝的寬度方向上地勢(shì)最低的一端。\n[0048] 實(shí)施例5\n[0049] 如圖6所示，本實(shí)施例中所述種植溝的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中種植溝的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別僅在于，本實(shí)施例中所述種植土層5與所述防護(hù)層4相接觸的底面沿所述種植溝6的長(zhǎng)度方向傾斜設(shè)置，并與水 平面形成一15℃夾角。在挖掘所述種植溝6時(shí)，使種植溝6的底面沿其長(zhǎng)度方向傾斜設(shè)置，并與水平面形成15℃的夾角，然后在種植溝底面上方依次鋪設(shè)所述透氣防滲層1、找平層3和防護(hù)層4，且保證所述透氣防滲層1、找平層3和防護(hù)層\n4平行于所述種植溝底面，進(jìn)而確保在鋪設(shè)的種植土層5時(shí)，其底面為沿所述種植溝長(zhǎng)度方向傾斜的底面，從而使所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層1、找平層3和防護(hù)層4均平行于所述種植土層5與所述防護(hù)層相接觸的底面。\n[0050] 實(shí)施例6\n[0051] 本實(shí)施例中所述種植溝的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中種植溝的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別僅在于，本實(shí)施例中的種植溝不具有找平層，在所述種植溝中鋪設(shè) 透氣防滲層后，直接鋪設(shè)透水磚層，然后再鋪設(shè)種植土層。\n[0052] 需要說明的是，所述種植土層5依據(jù)當(dāng)?shù)氐木唧w情況可以為客土層，也可以是鹽堿土層，當(dāng)種植土層為鹽堿土層時(shí)，其上種植吸鹽植物，當(dāng)種植土層為客土層時(shí)，其上可以種植各種植物。在其它實(shí)施方式中，所述種植溝可以設(shè)置為5條、8條等任意條，其數(shù)量依據(jù)鹽堿地的大小而定，所述集水井可以設(shè)置2、5個(gè)、6個(gè)或更多個(gè)，其具體數(shù)量依據(jù)所述種植溝的長(zhǎng)度而定，相鄰種植溝之間的土是為了起到支持作用，因此，種植溝間的間距最好不小于為0.5m，所述種植溝的寬度、深度、所述種植溝中各層的厚度、所述種植土層底面傾斜的角度等可以根據(jù)當(dāng)?shù)氐沫h(huán)境或具體要達(dá)到的要求設(shè)置，不必拘泥于固定的尺寸，只要能達(dá)到要求即可。本發(fā)明附圖只是示意圖，并不代表實(shí)際的尺寸和實(shí)際的比例關(guān)系。\n[0053] 顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。