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ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)、包括該結(jié)構(gòu)的柵控功率器件及制造方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201510115366.8
IPC分類號：H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336
申請日期：
2015-03-17
申請人：
北京中科新微特科技開發(fā)股份有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)、包括該結(jié)構(gòu)的柵控功率器件及制造方法
申請?zhí)?/td>	CN201510115366.8	申請日期	2015-03-17
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2015-06-24	公開/公告號	CN104733445A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L23/60 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L23/00 半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件的零部件（H01L 25/00優(yōu)先）〔2，5〕 H01L23/58 其他組不包含的，用于半導(dǎo)體器件的電結(jié)構(gòu)裝置〔5〕 H01L23/60 防靜電荷或放電的保護(hù)裝置，例如法拉第防護(hù)屏〔5〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;3;/;6;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分類表>
申請人	北京中科新微特科技開發(fā)股份有限公司	申請人地址	北京市朝陽區(qū)北土城西路11號中科院微電子所綜合樓4層變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	北京中科新微特科技開發(fā)股份有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	北京中科新微特科技開發(fā)股份有限公司
發(fā)明人	孫博韜;王立新;張彥飛
代理機(jī)構(gòu)	北京名華博信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	苗源

摘要

本發(fā)明提供了一種ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)、包括該結(jié)構(gòu)的柵控功率器件及制造方法。該ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類型外延層；位于第一導(dǎo)電類型外延層內(nèi)第一具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)和第二具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)；位于外延層內(nèi)，在第一具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)和第二具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)之間的第一導(dǎo)電類型阱區(qū)；位于第一導(dǎo)電類型阱區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型調(diào)閾值注入?yún)^(qū)；位于第一具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型漏極注入?yún)^(qū)；位于第二具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)中的第一導(dǎo)電類型源極注入?yún)^(qū)；以及位于所述第一導(dǎo)電類型外延層頂部的柵氧化層。該結(jié)構(gòu)具有雙向的ESD保護(hù)能力，且具有較小的漏電性能。

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