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摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體及其生長(zhǎng)方法和用途

發(fā)明專利有效專利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN201410820085.8
  • IPC分類號(hào)：C30B29/22;C30B15/00;C30B17/00;C30B11/00;G02B1/00
  • 申請(qǐng)日期：
    2014-12-24
  • 申請(qǐng)人：
    中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
著錄項(xiàng)信息
專利名稱摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體及其生長(zhǎng)方法和用途
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN201410820085.8申請(qǐng)日期2014-12-24
法律狀態(tài)授權(quán)申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2015-04-22公開(kāi)/公告號(hào)CN104532350A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類號(hào)C30B29/22IPC分類號(hào)C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;1;7;/;0;0;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;G;0;2;B;1;/;0;0查看分類表>
申請(qǐng)人中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院申請(qǐng)人地址
安徽省合肥市蜀山區(qū)蜀山湖路350號(hào) 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請(qǐng)及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院當(dāng)前權(quán)利人中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
發(fā)明人萬(wàn)松明;馮德玄;唐小路;張波
代理機(jī)構(gòu)安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人余成俊
摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻Pb2+離子高溫相偏硼酸鋇晶體及其生長(zhǎng)方法和用途。這種晶體化學(xué)式為PbxBa1?xB2O4，其中x為Pb2+離子替代Ba2+離子的比例，取值范圍為0.005≦x≦0.05。這種晶體可采用提拉法、泡生法和布里奇曼法等熔體法生長(zhǎng)，晶體生長(zhǎng)原料為PbxBa1?xB2O4或過(guò)量B2O3不超過(guò)10mol%的PbxBa1?xB2O4。這種晶體的物化性能穩(wěn)定、機(jī)械加工性能好、透光波段寬、光損傷閾值大、雙折射率大，受激Raman散射（SRS）活性振動(dòng)模式的頻率在635cm–1附近。該晶體可制作格蘭型棱鏡、渥拉斯頓棱鏡、薩那芒特棱鏡、洛匈棱鏡等光束分離偏振器件，以及相位延遲和光學(xué)補(bǔ)償器件；并可用做SRS晶體在紫外－可見(jiàn)－近紅外波段對(duì)激光進(jìn)行變頻。

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