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半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法

發(fā)明專(zhuān)利有效專(zhuān)利
  • 申請(qǐng)?zhí)枺?/span>
    CN202011162376.4
  • IPC分類(lèi)號(hào):H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/06;H01L29/78
  • 申請(qǐng)日期:
    2020-10-27
  • 申請(qǐng)人:
    臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
著錄項(xiàng)信息
專(zhuān)利名稱(chēng)半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法
申請(qǐng)?zhí)?/td>CN202011162376.4申請(qǐng)日期2020-10-27
法律狀態(tài)實(shí)質(zhì)審查申報(bào)國(guó)家中國(guó)
公開(kāi)/公告日2021-05-04公開(kāi)/公告號(hào)CN112750820A
優(yōu)先權(quán)暫無(wú)優(yōu)先權(quán)號(hào)暫無(wú)
主分類(lèi)號(hào)H01L27/088
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IPC結(jié)構(gòu)圖譜:
IPC分類(lèi)號(hào)H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分類(lèi)表>
申請(qǐng)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)人地址
中國(guó)臺(tái)灣新竹市 變更 專(zhuān)利地址、主體等相關(guān)變化,請(qǐng)及時(shí)變更,防止失效
權(quán)利人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
發(fā)明人江國(guó)誠(chéng);朱熙甯;陳冠霖;王志豪
代理機(jī)構(gòu)隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人聶慧荃;閆華
摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基板上方的多個(gè)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)及兩個(gè)外延結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的每一個(gè)位于兩個(gè)外延結(jié)構(gòu)之間。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包括環(huán)繞半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的柵極堆疊結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包括位于柵極堆疊結(jié)構(gòu)與基板之間的應(yīng)力結(jié)構(gòu)。外延結(jié)構(gòu)延伸超出應(yīng)力結(jié)構(gòu)的頂表面。

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