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一種晶硅制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201410055925.6
IPC分類號：C30B33/10;C30B29/06
申請日期：
2014-02-20
申請人：
南京納鑫新材料有限公司

基礎(chǔ)信息

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	一種晶硅制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用
申請?zhí)?/td>	CN201410055925.6	申請日期	2014-02-20
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報國家	中國
公開/公告日	2014-05-14	公開/公告號	CN103789838A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	C30B33/10 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： C 化學(xué)；冶金 C2 冶金 C30 晶體生長〔3〕 C30B 單晶生長（用超高壓的，例如用于金剛石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分層；材料的區(qū)熔精煉（金屬或合金的區(qū)熔精煉入C22B）；具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料的制備（金屬鑄造，按同樣工藝或裝置的其他物質(zhì)鑄造入B22D；塑料的加工入B29；改變金屬或合金的物理結(jié)構(gòu)入C21D、C22F）；單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料；單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料之后處理（用于半導(dǎo)體器件或元件生產(chǎn)的入H01L）；其所用的裝置〔3〕 C30B33/00 單晶或具有一定結(jié)構(gòu)的均勻多晶材料的后處理（C30B 31/00優(yōu)先）〔3，5〕 C30B33/08 侵蝕〔5〕 C30B33/10 在溶液或熔體內(nèi)〔5〕	IPC分類號	C;3;0;B;3;3;/;1;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分類表>
申請人	南京納鑫新材料有限公司	申請人地址	江蘇省南京市南京化學(xué)工業(yè)園區(qū)方水路168號-149 變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	南京納鑫新材料有限公司	當前權(quán)利人	南京納鑫新材料有限公司
發(fā)明人	管自生
代理機構(gòu)	南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司	代理人	王美章

摘要

本發(fā)明屬于晶體硅表面制備絨面技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種利用木糖醇與甘露糖酸在堿性條件下反應(yīng)制備新型制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用。其特征在于將質(zhì)量濃度為10?50％的木糖醇和質(zhì)量濃度為5?45％的甘露糖醛酸溶解在堿性水溶液中，在40?100℃加熱攪拌反應(yīng)2?10小時，冷卻至室溫后，加去離子水稀釋至質(zhì)量分數(shù)3％即可使用，不需分離提純。本發(fā)明產(chǎn)品綠色環(huán)保，具有對人體刺激性小、生物降解快、性能優(yōu)良等特點，可以在單晶硅片表面制備類“錐形”的特殊金字塔結(jié)構(gòu)，從而有效地降低了光的反射率，并與現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備匹配。本發(fā)明產(chǎn)品還可以應(yīng)用于多晶硅片表面在堿性條件下制備出類金字塔納米尺度絨面。

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