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具備低漏電高耐壓終端結構的臺面二極管及其制備方法

發(fā)明專利有效專利

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CN201510010197.1
IPC分類號：H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
申請日期：
2015-01-08
申請人：
北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	具備低漏電高耐壓終端結構的臺面二極管及其制備方法
申請?zhí)?/td>	CN201510010197.1	申請日期	2015-01-08
法律狀態(tài)	授權	申報國家	中國
公開/公告日	2015-06-03	公開/公告號	CN104681633A
優(yōu)先權	暫無	優(yōu)先權號	暫無
主分類號	H01L29/861 ? IPC結構圖譜： H 電學 H9 電學 H01 基本電氣元件 H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導管、諧振器或波導型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設備的外殼或結構零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應用的電路中半導體器件的使用見該應用的小類）〔2〕 H01L29/00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05優(yōu)先；除半導體或其電極之外的零部件入H01L 23/00；由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半導體器件的類型區(qū)分的〔2〕 H01L29/86 只能通過對一個或多個通有待整流，放大、振蕩或切換的電流的電極供給電流的變化或施加電位的變化方可進行控制的（H01L 29/96優(yōu)先）〔2〕 H01L29/861 二極管〔6〕	IPC分類號	H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分類表>
申請人	北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所	申請人地址	北京市豐臺區(qū)東高地四營門北路2號變更專利地址、主體等相關變化，請及時變更，防止失效
權利人	北京時代民芯科技有限公司,北京微電子技術研究所	當前權利人	北京時代民芯科技有限公司,北京微電子技術研究所
發(fā)明人	姚全斌;趙元富;王成杰;王傳敏;殷麗;李光北;馮幼明;吳立成;張文敏;趙昕
代理機構	中國航天科技專利中心	代理人	范曉毅

摘要

本發(fā)明提供了一種具備低漏電高耐壓終端結構的臺面二極管及其制備方法，該臺面二極管包括背面襯底、N?型外延層、陽極有源區(qū)P+型層和二極管臺面上的復合鈍化層，該復合鈍化層包括二氧化硅層、多晶硅層和氮化硅層，本發(fā)明的制備方法步驟如下：1、制備普通的臺面二極管；2、在二極管的上表面生長一層二氧化硅；3、在二氧化硅層上淀積多晶硅，并進行擴磷處理形成多晶硅層；4、在多晶硅層上淀積氮化硅形成氮化硅層；5、在所述氮化硅層和多晶硅層進行刻蝕，得到設定圖形的氮化硅層和多晶硅層；6、采用腐蝕工藝對裸露出的二氧化硅層進行腐蝕處理，得到設定圖形的二氧化硅層；本發(fā)明能夠提高器件的性能，工藝實現(xiàn)簡單。

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