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存儲器裝置、集成芯片及其形成方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN202011221691.X
IPC分類號：H01L45/00;H01L27/24
申請日期：
2020-11-05
申請人：
臺灣積體電路制造股份有限公司

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法律信息

引證文獻

著錄項信息

專利名稱	存儲器裝置、集成芯片及其形成方法
申請?zhí)?/td>	CN202011221691.X	申請日期	2020-11-05
法律狀態(tài)	實質(zhì)審查	申報國家	暫無
公開/公告日	2021-09-03	公開/公告號	CN113346011A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L45/00 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機電諧振器入H03H；揚聲器、送話器、留聲機拾音器或類似的聲機電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L45/00 無電位躍變勢壘或表面勢壘的，專門適用于整流、放大、振蕩或切換的固態(tài)器件，例如介電三極管；奧氏效應(yīng)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備（由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00；應(yīng)用超導(dǎo)電性或高導(dǎo)性的器件入H01L 39/00；壓電器件入H01L 41/00；體負阻效應(yīng)器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分類表>
申請人	臺灣積體電路制造股份有限公司	申請人地址	中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時變更，防止失效
權(quán)利人	臺灣積體電路制造股份有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	臺灣積體電路制造股份有限公司
發(fā)明人	鐘嘉文;蔡正原;金海光;潘興強
代理機構(gòu)	南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司	代理人	王素琴

摘要

一些實施例涉及一種存儲器裝置。所述存儲器裝置包括上覆在襯底之上的底部電極。數(shù)據(jù)存儲層上覆在底部電極之上。頂部電極上覆在數(shù)據(jù)存儲層之上。在數(shù)據(jù)存儲層內(nèi)可選擇性地形成導(dǎo)電橋，以將底部電極耦合到頂部電極。擴散阻擋層設(shè)置在數(shù)據(jù)存儲層與頂部電極之間。

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