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MTJ器件的制作方法

發(fā)明專利有效專利

申請?zhí)枺?/span>
CN201611075608.6
IPC分類號：H01L43/12;H01L43/08
申請日期：
2016-11-29
申請人：
中電?？导瘓F(tuán)有限公司

基礎(chǔ)信息

權(quán)利要求

說明書

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法律信息

引證文獻(xiàn)

著錄項(xiàng)信息

專利名稱	MTJ器件的制作方法
申請?zhí)?/td>	CN201611075608.6	申請日期	2016-11-29
法律狀態(tài)	授權(quán)	申報(bào)國家	中國
公開/公告日	2018-06-05	公開/公告號	CN108123029A
優(yōu)先權(quán)	暫無	優(yōu)先權(quán)號	暫無
主分類號	H01L43/12 ? IPC結(jié)構(gòu)圖譜： H 電學(xué) H9 電學(xué) H01 基本電氣元件 H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件（使用半導(dǎo)體器件的測量入G01；一般電阻器入H01C；磁體、電感器、變壓器入H01F；一般電容器入H01G；電解型器件入H01G 9/00；電池組、蓄電池入H01M；波導(dǎo)管、諧振器或波導(dǎo)型線路入H01P；線路連接器、匯流器入H01R；受激發(fā)射器件入H01S；機(jī)電諧振器入H03H；揚(yáng)聲器、送話器、留聲機(jī)拾音器或類似的聲機(jī)電傳感器入H04R；一般電光源入H05B；印刷電路、混合電路、電設(shè)備的外殼或結(jié)構(gòu)零部件、電氣元件的組件的制造入H05K；在具有特殊應(yīng)用的電路中半導(dǎo)體器件的使用見該應(yīng)用的小類）〔2〕 H01L43/00 應(yīng)用電—磁或者類似磁效應(yīng)的器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備（由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件組成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/12 專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備〔2〕	IPC分類號	H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分類表>
申請人	中電?？导瘓F(tuán)有限公司	申請人地址	浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路1500號1幢311 變更專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人	中電海康集團(tuán)有限公司,浙江馳拓科技有限公司	當(dāng)前權(quán)利人	中電?？导瘓F(tuán)有限公司,浙江馳拓科技有限公司
發(fā)明人	喻濤;左正笏;陳志剛;谷勛;劉瑞盛
代理機(jī)構(gòu)	北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司	代理人	趙囡囡;吳貴明

摘要

本申請?zhí)峁┝艘环NMTJ器件的制作方法。該制作方法包括：步驟S1，在襯底表面上設(shè)置功能膜，形成預(yù)成品，功能膜包括MTJ膜；步驟S2，在功能膜的遠(yuǎn)離襯底的表面上設(shè)置離子注入掩膜材料，并對離子注入掩膜材料進(jìn)行圖形化處理得到離子注入掩膜；步驟S3，對設(shè)置有離子注入掩膜的預(yù)成品依次進(jìn)行氧離子注入與退火，在離子注入掩膜之外的區(qū)域形成氧離子注入膜；步驟S4，去除氧離子注入膜，形成凹陷；步驟S5，在凹陷內(nèi)設(shè)置介電材料，且使介電材料和離子注入掩膜的遠(yuǎn)離襯底的表面在同一平面，其中，介電材料的介電常數(shù)在1.4～7.0之間。該制作方法制作得到的MTJ器件的介電常數(shù)較小，使得MRAM芯片的運(yùn)算速度較快。

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