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用于極紫外光微影制程的光罩

發(fā)明專利有效專利
  • 申請?zhí)枺?/span>
    CN201910444603.3
  • IPC分類號：G03F1/00;G03F1/54
  • 申請日期：
    2019-05-27
  • 申請人：
    臺灣積體電路制造股份有限公司
著錄項(xiàng)信息
專利名稱用于極紫外光微影制程的光罩
申請?zhí)?/td>CN201910444603.3申請日期2019-05-27
法律狀態(tài)公開申報(bào)國家中國
公開/公告日2020-04-03公開/公告號CN110955108A
優(yōu)先權(quán)暫無優(yōu)先權(quán)號暫無
主分類號G03F1/00IPC分類號G;0;3;F;1;/;0;0;;;G;0;3;F;1;/;5;4查看分類表>
申請人臺灣積體電路制造股份有限公司申請人地址
中國臺灣新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路八號 變更 專利地址、主體等相關(guān)變化，請及時(shí)變更，防止失效
權(quán)利人臺灣積體電路制造股份有限公司當(dāng)前權(quán)利人臺灣積體電路制造股份有限公司
發(fā)明人林雲(yún)躍
代理機(jī)構(gòu)北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司代理人徐金國
摘要
一種用于極紫外光微影制程的光罩包含多層堆疊、覆蓋層、吸收層以及邊界層。多層堆疊包含多層金屬層和多層半導(dǎo)體層交替設(shè)置在光罩基板的第一表面上。覆蓋層設(shè)置于多層堆疊的上方。影像圖案形成在吸收層中且吸收層設(shè)置于覆蓋層的上方。邊界層環(huán)繞影像圖案且設(shè)置于吸收層的上方。

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